[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造半導(dǎo)體晶片的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710009776.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-01-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106992113B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-03-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金鐘洙;崔三宗;金秀蓮;具泰亨;朱炫姬;金清俊;俞智原 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 屈玉華 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 晶片 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體晶片的方法，所述方法包括：
提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片包括彼此相對(duì)的第一表面和第二表面以及在所述半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口，所述凹口包括朝向所述半導(dǎo)體晶片的中心部分的在所述外周上的凹陷；
通過(guò)處理所述半導(dǎo)體晶片的所述外周形成第一倒角區(qū)域，所述第一倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第一斜坡，所述第一斜坡相對(duì)于從第一點(diǎn)到第二點(diǎn)延伸的直線具有第一高度，所述第一點(diǎn)是所述第一表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)，所述第二點(diǎn)是所述第二表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)；以及
通過(guò)處理所述凹口形成第二倒角區(qū)域，所述第二倒角區(qū)域形成在所述凹口中以接觸所述凹陷并且被連接到沿所述半導(dǎo)體晶片的所述外周形成的所述第一倒角區(qū)域，所述第二倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第二斜坡，所述第二斜坡相對(duì)于從第三點(diǎn)到第四點(diǎn)延伸的直線具有不同于所述第一高度的第二高度，所述第三點(diǎn)是所述第一表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)，以及所述第四點(diǎn)是所述第二表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二高度小于所述第一高度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的主體的厚度是所述第二高度的至少三倍大。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述凹陷的深度是0.4微米到1.0微米。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二倒角區(qū)域包括：
使用具有第一網(wǎng)格的拋光表面的棘輪對(duì)所述凹口進(jìn)行第一磨削；以及
使用具有第二網(wǎng)格的拋光表面的棘輪對(duì)所述凹口進(jìn)行第二磨削，所述第二網(wǎng)格大于所述第一網(wǎng)格。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二網(wǎng)格包括2000個(gè)網(wǎng)格到10000個(gè)網(wǎng)格。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在形成所述第二倒角區(qū)域之后通過(guò)在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行熱處理而檢查所述半導(dǎo)體晶片是否有缺陷，所述檢查包括：
在第一溫度下在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行所述熱處理；以及
在第二溫度下在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行所述熱處理，所述第二溫度大于所述第一溫度。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一溫度在1000℃和1150℃之間。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述檢查還包括：
在所述第一溫度下在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行所述熱處理之前，在所述半導(dǎo)體晶片上形成外延層。
10.一種半導(dǎo)體晶片，包括：
包含彼此相對(duì)的第一表面和第二表面的主體；
在所述半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口，所述凹口包括朝向所述半導(dǎo)體晶片的中心部分的在所述外周上的凹陷；
沿所述主體的所述外周的第一倒角區(qū)域，所述第一倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第一斜坡，所述第一斜坡相對(duì)于從第一點(diǎn)到第二點(diǎn)延伸的直線具有第一高度，所述第一點(diǎn)是所述第一表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)，以及所述第二點(diǎn)是所述第二表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)；以及
第二倒角區(qū)域，形成在所述凹口中以與所述凹陷接觸并且被連接到沿所述半導(dǎo)體晶片的所述外周形成的所述第一倒角區(qū)域，所述第二倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第二斜坡，所述第二倒角區(qū)域相對(duì)于從第三點(diǎn)到第四點(diǎn)延伸的直線具有不同于所述第一高度的第二高度，所述第三點(diǎn)是所述第一表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)，所述第四點(diǎn)是所述第二表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述主體包括芯片形成區(qū)域以及圍繞所述芯片形成區(qū)域的邊緣區(qū)域，所述凹口在所述邊緣區(qū)域中。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述第二高度小于所述第一高度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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