[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造半導(dǎo)體晶片的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710009776.3
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106992113B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金鐘洙;崔三宗;金秀蓮;具泰亨;朱炫姬;金清俊;俞智原
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種制造半導(dǎo)體晶片的方法，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體晶片包括彼此相對(duì)的第一表面和第二表面以及在所述半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口，所述凹口包括朝向所述半導(dǎo)體晶片的中心部分的在所述外周上的凹陷；

通過(guò)處理所述半導(dǎo)體晶片的所述外周形成第一倒角區(qū)域，所述第一倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第一斜坡，所述第一斜坡相對(duì)于從第一點(diǎn)到第二點(diǎn)延伸的直線具有第一高度，所述第一點(diǎn)是所述第一表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)，所述第二點(diǎn)是所述第二表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)；以及

通過(guò)處理所述凹口形成第二倒角區(qū)域，所述第二倒角區(qū)域形成在所述凹口中以接觸所述凹陷并且被連接到沿所述半導(dǎo)體晶片的所述外周形成的所述第一倒角區(qū)域，所述第二倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第二斜坡，所述第二斜坡相對(duì)于從第三點(diǎn)到第四點(diǎn)延伸的直線具有不同于所述第一高度的第二高度，所述第三點(diǎn)是所述第一表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)，以及所述第四點(diǎn)是所述第二表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二高度小于所述第一高度。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體晶片的主體的厚度是所述第二高度的至少三倍大。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述凹陷的深度是0.4微米到1.0微米。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二倒角區(qū)域包括：

使用具有第一網(wǎng)格的拋光表面的棘輪對(duì)所述凹口進(jìn)行第一磨削；以及

使用具有第二網(wǎng)格的拋光表面的棘輪對(duì)所述凹口進(jìn)行第二磨削，所述第二網(wǎng)格大于所述第一網(wǎng)格。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二網(wǎng)格包括2000個(gè)網(wǎng)格到10000個(gè)網(wǎng)格。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述第二倒角區(qū)域之后通過(guò)在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行熱處理而檢查所述半導(dǎo)體晶片是否有缺陷，所述檢查包括：

在第一溫度下在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行所述熱處理；以及

在第二溫度下在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行所述熱處理，所述第二溫度大于所述第一溫度。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一溫度在1000℃和1150℃之間。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述檢查還包括：

在所述第一溫度下在所述半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行所述熱處理之前，在所述半導(dǎo)體晶片上形成外延層。

10.一種半導(dǎo)體晶片，包括：

包含彼此相對(duì)的第一表面和第二表面的主體；

在所述半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口，所述凹口包括朝向所述半導(dǎo)體晶片的中心部分的在所述外周上的凹陷；

沿所述主體的所述外周的第一倒角區(qū)域，所述第一倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第一斜坡，所述第一斜坡相對(duì)于從第一點(diǎn)到第二點(diǎn)延伸的直線具有第一高度，所述第一點(diǎn)是所述第一表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)，以及所述第二點(diǎn)是所述第二表面和所述第一斜坡交匯的點(diǎn)；以及

第二倒角區(qū)域，形成在所述凹口中以與所述凹陷接觸并且被連接到沿所述半導(dǎo)體晶片的所述外周形成的所述第一倒角區(qū)域，所述第二倒角區(qū)域包括連接所述第一表面和所述第二表面的第二斜坡，所述第二倒角區(qū)域相對(duì)于從第三點(diǎn)到第四點(diǎn)延伸的直線具有不同于所述第一高度的第二高度，所述第三點(diǎn)是所述第一表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)，所述第四點(diǎn)是所述第二表面和所述第二斜坡交匯的點(diǎn)。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述主體包括芯片形成區(qū)域以及圍繞所述芯片形成區(qū)域的邊緣區(qū)域，所述凹口在所述邊緣區(qū)域中。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述第二高度小于所述第一高度。