[發明專利]半導體晶片、半導體結構及制造半導體晶片的方法

有效

• 申請號: 201710009776.3
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN106992113B
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 金鐘洙;崔三宗;金秀蓮;具泰亨;朱炫姬;金清俊;俞智原
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

本發明公開了半導體晶片、半導體結構及制造半導體晶片的方法。該半導體晶片包括：包含彼此相對的第一和第二表面的主體；包含在外周上的凹陷的凹口；沿主體的外周形成的第一倒角區域，第一倒角區域包括第一斜坡，第一斜坡連接第一和第二表面并且相對于從第一表面和第一斜坡交匯的第一點到第二表面和第一斜坡交匯的第二點延伸的直線具有第一高度；以及與凹陷或開口接觸的第二倒角區域，第二倒角區域包括第二斜坡，第二斜坡連接第一和第二表面并且相對于從第一表面和第二斜坡交匯的第三點到第二表面和第二斜坡交匯的第四點延伸的直線具有不同于第一高度的第二高度。

技術領域

本發明構思的示例實施方式涉及半導體晶片、半導體結構和/或制造半導體晶片的方法。

背景技術

由于關于半導體電路的微加工和復雜化，制造半導體器件的工藝可以在相對高的溫度下被執行，這會導致在它的設計規則上的減少。當工藝溫度增加時，大量的熱可以被施加到半導體晶片上，并且因此半導體晶片可以被損壞。

同時，凹口可以主要被用于指示具有300微米或更大的直徑的半導體晶片的晶向，并且凹口可以被用于在半導體制造工藝過程中對準半導體晶片。

發明內容

本發明構思的示例實施方式提供配置為在高溫工藝過程中減小(或替代地，消除)出現在凹口上的損壞的半導體晶片、包括半導體晶片的半導體結構以及制造半導體晶片的方法。

根據本發明構思的一示例實施方式，此處提供制造半導體晶片的方法，該方法包括：準備半導體晶片，半導體晶片包括彼此相對的第一和第二表面以及在半導體晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半導體晶片的中心部分的在外周上的凹陷；通過處理半導體晶片的外周形成第一倒角區域，第一倒角區域包括連接第一和第二表面的第一斜坡，第一斜坡相對于從第一點到第二點延伸的直線具有第一高度，第一點是第一表面和第一斜坡交匯的點，并且第二點是第二表面和第一斜坡交匯的點；以及通過處理凹口形成第二倒角區域，第二倒角區域接觸凹陷，第二倒角區域包括連接第一和第二表面的第二斜坡，第二斜坡相對于從第三點到第四點延伸的直線具有不同于第一高度的第二高度，第三點是第一表面和第二斜坡交匯的點，并且第四點是第二表面和第二斜坡交匯的點。

根據本發明構思的另一示例實施方式，此處提供半導體晶片，包括：包含彼此相對的第一和第二表面的主體；在半導體晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半導體晶片的中心部分的在外周上的凹陷；沿主體的外周的第一倒角區域，第一倒角區域包括連接第一和第二表面的第一斜坡，第一斜坡相對于從第一點到第二點延伸的直線具有第一高度，第一點是第一表面和第一斜坡交匯的點，并且第二點是第二表面和第一斜坡交匯的點；以及與凹陷接觸的第二倒角區域，第二倒角區域包括連接第一和第二表面的第二斜坡，第二倒角區域相對于從第三點到第四點延伸的直線具有不同于第一高度的第二高度，第三點是第一表面和第二斜坡交匯的點，第四點是第二表面和第二斜坡交匯的點。

根據本發明構思的另一示例實施方式，此處提供包括具有彼此相對的第一和第二表面的半導體晶片的半導體結構，半導體晶片包括：芯片形成區域，以及圍繞芯片形成區域的邊緣區域；布置在芯片形成區域中的半導體芯片；在半導體晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半導體晶片的中心部分的在外周上的凹陷；沿半導體晶片的外周的第一倒角區域，第一倒角區域具有連接第一和第二表面的第一斜坡，并且第一倒角區域相對于從第一點到第二點延伸的直線具有第一高度，第一點是第一表面和第一斜坡交匯的點，第二點是第二表面和第一斜坡交匯的點；以及具有連接第一和第二表面的第二斜坡的第二倒角區域，并且第二倒角區域相對于從第三點到第四點延伸的直線具有不同于第一高度的第二高度，第三點是第一表面和第二斜坡交匯的點，并且第四點是第二表面和第二斜坡交匯的點。