[發明專利]可實現集束晶圓級老化的芯片、晶圓及相應的處理方法在審
| 申請號： | 201810266977.6 | 申請日： | 2018-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN108346593A | 公開（公告）日： | 2018-07-31 |
| 發明（設計）人： | 張文偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院西安光學精密機械研究所;西安中科阿爾法電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 陳廣民 |
| 地址： | 710119 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓級 集束 芯片 老化處理 晶圓 老化 芯片邊緣 芯片測試 芯片老化 探針孔 打線 減小 探針 | ||
1.一種可實現集束晶圓級老化的芯片，包括芯片(1)，其特征在于：
還包含兩根引線(2)，兩根引線(2)分別從芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片邊緣。
2.一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，包括晶圓本體(3)和陣列在晶圓本體(3)上的多個芯片(1)，其特征在于：
所述晶圓本體(3)上還設有測試區(4)；測試區(4)包括Vdd端和Vss端；
所有芯片(1)還包含兩根引線(2)，兩根引線(2)分別從芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片邊緣；所有芯片(1)的Vdd端通過引線(2)與測試區(4)的Vdd端連接，所有芯片(1)的Vss端通過引線(2)與測試區(4)的Vss端連接。
3.根據權利要求2所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述晶圓本體(3)上設有劃片槽(5)，所有引線(2)布置在劃片槽(5)內。
4.根據權利要求2或3所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述晶圓本體(3)劃分有多個芯片集束群(6)，每個芯片集束群(6)包括多個芯片(1)；每個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或多個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或所有芯片集束群(6)對應一個測試區(4)。
5.根據權利要求4所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述測試區(4)設有1～4個Vdd端口以及相應數量的Vss端口。
6.根據權利要求5所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述測試區(4)設有2個或4個Vdd端口。
7.一種可實現集束晶圓級老化的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)在晶圓本體(3)上設置多個芯片、至少一個測試區(4)，芯片間設有劃片槽(5)，所有芯片的Vdd端通過引線(2)與測試區(4)的Vdd端連接，所有芯片的Vss端通過引線(2)與測試區(4)的Vss端連接，引線(2)布置在劃片槽(5)內；
步驟2)用Vdd探針和Vss探針與測試區(4)的Vdd端和Vss端接觸進行老化處理；
步驟3)對晶圓本體(3)按照劃片槽(5)進行切割，劃片槽(5)內的引線被切割掉，形成獨立的芯片，芯片Vdd端和Vss端的引線(2)保留。
8.根據權利要求7所述的一種可實現集束晶圓級老化的處理方法，其特征在于：步驟1)中晶圓本體(3)劃分為多個芯片集束群(6)，每個芯片集束群(6)包括多個芯片；每個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或多個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或所有芯片集束群(6)對應一個測試區(4)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
