[發明專利]可實現集束晶圓級老化的芯片、晶圓及相應的處理方法

在審

• 申請號: 201810266977.6
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108346593A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 張文偉
• 申請（專利權）人: 中國科學院西安光學精密機械研究所;西安中科阿爾法電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 陳廣民

1.一種可實現集束晶圓級老化的芯片，包括芯片(1)，其特征在于：

還包含兩根引線(2)，兩根引線(2)分別從芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片邊緣。

2.一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，包括晶圓本體(3)和陣列在晶圓本體(3)上的多個芯片(1)，其特征在于：

所述晶圓本體(3)上還設有測試區(4)；測試區(4)包括Vdd端和Vss端；

所有芯片(1)還包含兩根引線(2)，兩根引線(2)分別從芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片邊緣；所有芯片(1)的Vdd端通過引線(2)與測試區(4)的Vdd端連接，所有芯片(1)的Vss端通過引線(2)與測試區(4)的Vss端連接。

3.根據權利要求2所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述晶圓本體(3)上設有劃片槽(5)，所有引線(2)布置在劃片槽(5)內。

4.根據權利要求2或3所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述晶圓本體(3)劃分有多個芯片集束群(6)，每個芯片集束群(6)包括多個芯片(1)；每個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或多個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或所有芯片集束群(6)對應一個測試區(4)。

5.根據權利要求4所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述測試區(4)設有1～4個Vdd端口以及相應數量的Vss端口。

6.根據權利要求5所述的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，其特征在于：所述測試區(4)設有2個或4個Vdd端口。

7.一種可實現集束晶圓級老化的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)在晶圓本體(3)上設置多個芯片、至少一個測試區(4)，芯片間設有劃片槽(5)，所有芯片的Vdd端通過引線(2)與測試區(4)的Vdd端連接，所有芯片的Vss端通過引線(2)與測試區(4)的Vss端連接，引線(2)布置在劃片槽(5)內；

步驟2)用Vdd探針和Vss探針與測試區(4)的Vdd端和Vss端接觸進行老化處理；

步驟3)對晶圓本體(3)按照劃片槽(5)進行切割，劃片槽(5)內的引線被切割掉，形成獨立的芯片，芯片Vdd端和Vss端的引線(2)保留。

8.根據權利要求7所述的一種可實現集束晶圓級老化的處理方法，其特征在于：步驟1)中晶圓本體(3)劃分為多個芯片集束群(6)，每個芯片集束群(6)包括多個芯片；每個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或多個芯片集束群(6)對應一個測試區(4)，或所有芯片集束群(6)對應一個測試區(4)。