[發明專利]可實現集束晶圓級老化的芯片、晶圓及相應的處理方法

在審

• 申請號: 201810266977.6
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108346593A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 張文偉
• 申請（專利權）人: 中國科學院西安光學精密機械研究所;西安中科阿爾法電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 陳廣民

本發明涉及芯片測試領域，具體涉及一種可實現集束晶圓級老化的芯片、晶圓及相應的處理方法。本發明提出的一種可實現集束晶圓級老化的芯片，該芯片可實現集束晶圓級老化處理，免除了芯片Vdd和Vss上出現探針孔的現象，提高了芯片打線的可靠性。本發明提出的一種可實現集束晶圓級老化的晶圓設計，晶圓在實現集束晶圓級老化處理時可明顯減少探針數量，減小成本，并且可以提高老化處理的可靠性。本發明提出的一種集束晶圓級老化處理方法，該方法可有效提高芯片老化處理的可靠性，同時提高芯片的質量。一種可實現集束晶圓級老化的芯片，包括芯片，還包含兩根引線，所述兩根引線分別從芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片邊緣。

技術領域

本發明涉及芯片測試領域，具體涉及一種可實現集束晶圓級老化的芯片、晶圓及相應的處理方法。

背景技術

晶圓級老化處理是基于溫度加速法篩選早期失效芯片的有效方法。

晶圓級老化處理的方法應該滿足如下要求：1)不應該毀壞芯片本身；2)應用方便。

現有的晶圓級老化處理方法是：在高溫下，如165度下通電90分鐘后，再測試芯片的基本參數，將失效的芯片剔除出去，該方法加速模擬芯片澡盆形狀早期失效的環境，因此可以減小產品的現場失效機會。

圖1所示是現有技術中一個典型的晶圓級老化處理：在一個晶圓上，每顆芯片的電源端Vdd都需要一個探針，用于提供電源，另外，在每一個芯片的Vss端也需要一個探針。這樣，在老化時，就會有2N個探針作用在晶圓上，導致如下缺陷：

1)探針過多，導致成本過高；

2)可靠性變差。過多的探針接觸所有芯片的可靠性變差，有可能導致有的芯片漏掉老化處理；

3)每一個芯片電源和地的打線端上都會產生探針印，會影響后續打線的可靠性，從而影響產品的可靠性。

發明內容

為克服上述現有技術中存在的不足，本發明提出一種可實現集束晶圓級老化的芯片，該芯片可實現集束晶圓級老化處理，免除了芯片Vdd和Vss上出現探針孔的現象，提高了芯片打線的可靠性。

本發明還提出一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，晶圓在實現集束晶圓級老化處理時可明顯減少探針數量，減小成本，并且可以提高老化處理的可靠性。

本發明還提出一種可實現集束晶圓級老化的處理方法，該方法可有效提高芯片老化處理的可靠性，同時提高芯片的質量。

本發明解決上述問題的技術方案是：

一種可實現集束晶圓級老化的芯片，包括芯片，其特殊之處在于：

還包含兩根引線，所述兩根引線分別從芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片邊緣。

本發明還提出一種可實現集束晶圓級老化的晶圓，包括晶圓本體和陣列在晶圓本體上的多個上述芯片，其特殊之處在于：

所述晶圓本體上還設有測試區；測試區包括Vdd端和Vss端；

所有芯片還包含兩根引線，兩根引線分別從芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片邊緣；所有芯片的Vdd端通過引線與測試區的Vdd端連接，所有芯片的Vss端通過引線與測試區的Vss端連接。

進一步地，上述晶圓本體上設有劃片槽，所有引線布置在劃片槽內。

進一步地，上述晶圓本體劃分有多個芯片集束群，每個芯片集束群包括多個芯片；每個芯片集束群對應一個測試區，或多個芯片集束群對應一個測試區，或所有芯片集束群對應一個測試區。

進一步地，上述測試區設有1～4個Vdd端口以及相應數量的Vss端口。

進一步地，上述測試區設有2個或4個Vdd端口。