[其他]S-槍磁控濺射源無效
| 申請號： | 87212023 | 申請日： | 1987-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN87212023U | 公開（公告）日： | 1988-03-23 |
| 發明（設計）人： | 王德苗;梁素珍;任高潮;徐電;陳抗生 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 浙江大學專利代理事務所 | 代理人： | 連壽金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種帶有能直接向靶面噴工作氣體的充氣器、能對陰極靶[4]的底部和側面進行有效冷卻的水冷器和采用高導磁率的軟磁材料制成的中心陽極的S—槍磁控濺射源。同已有的磁控濺射源比較，靶材利用率提高80％以上，濺射速率提高50％。對于集成電路、塑料制品、玻璃陶瓷、工藝品、金屬零件的表面，應用裝有本濺射源的磁控濺射機鍍覆一層結合牢固的金屬薄膜后，能提高其應用價值。應用本技術可方便地對現有的鍍膜機進行改造。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 磁控濺射 | ||
【主權項】：
1、一種含有一個磁場源、一個陰極靶、一個靶的水冷器、一個中心陽極以及一個屏蔽罩等構成的S-槍磁控濺射源，其特征在于該濺射源包含一個采用導磁材料制成的中心陽極，一個等厚度的陰極靶[4]，一個能使陰極靶[4]底部、側面和上極靴[9]同時得到有效冷卻的水冷器，一個使陰極靶[4]靶面始終保持潔凈工作氣氛的充氣器。
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