[其他]銦錫氧化物透明導電膜生產(chǎn)工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87107654 | 申請日： | 1987-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN87107654A | 公開（公告）日： | 1988-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彭傳才;金昭廷 | 申請（專利權(quán)）人： | 國防科學技術(shù)大學 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14;C23C14/00 |
| 代理公司： | 國防科學技術(shù)大學專利辦公室 | 代理人： | 盛湘饒 |
| 地址： | 湖南省長*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種銦錫氧化物透明導電膜的生產(chǎn)工藝。本發(fā)明涉及優(yōu)質(zhì)銦錫氧化物透明導電膜的制備及大規(guī)模工業(yè)性生產(chǎn)工藝。該生產(chǎn)工藝技術(shù)參數(shù)采用的組合方式，能在低溫基片上快速直接獲得ITO透明導電膜；采用曲線控制蒸發(fā)過程使工藝和性能的重現(xiàn)性達到或接近100％；采用多舟并聯(lián)擇優(yōu)分布法以獲得大面積均勻的優(yōu)質(zhì)ITO膜。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化物 透明 導電 生產(chǎn)工藝 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種銦錫氧化物透明導電膜的生產(chǎn)工藝，其特征在于：各工藝技術(shù)參數(shù)采用如下的組合方式：銦∶錫=10∶1(重量比)基片加熱溫度150～200℃濕氧流量80～160mL/分反應(yīng)蒸發(fā)氧壓1×10-2～3×10-2托蒸發(fā)鉬舟尺寸(加熱部份)(5～10)mm×(8～12)mm鉬舟加熱溫度880～920℃沉積速度300～600埃/分蒸發(fā)時間2～5分沉積周期20～25分基片與蒸發(fā)源垂直距離100～120mm基片旋轉(zhuǎn)速度25轉(zhuǎn)/分蒸發(fā)料總量0.2～0.3克
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