[其他]銦錫氧化物透明導電膜生產工藝

無效

• 申請號: 87107654
• 申請日: 1987-12-31
• 公開（公告）號: CN87107654A
• 公開（公告）日: 1988-10-12
• 發明（設計）人: 彭傳才;金昭廷
• 申請（專利權）人: 國防科學技術大學
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;C23C14/00
• 代理公司: 國防科學技術大學專利辦公室
• 代理人: 盛湘饒

1、一種銦錫氧化物透明導電膜的生產工藝，其特征在于：各工藝技術參數采用如下的組合方式：

銦∶錫=10∶1????????????(重量比)

基片加熱溫度????????????150～200℃

濕氧流量????????????????80～160mL/分

反應蒸發氧壓 1×10^-2～3×10^-2托

蒸發鉬舟尺寸(加熱部份)??(5～10)mm×(8～12)mm

鉬舟加熱溫度????????????880～920℃

沉積速度????????????????300～600埃/分

蒸發時間????????????????2～5分

沉積周期????????????????20～25分

基片與蒸發源垂直距離????100～120mm

基片旋轉速度????????????25轉/分

蒸發料總量??????????????0.2～0.3克

2、根據權利要求1所述的生產工藝，其特征在于：反應蒸發過程采用如圖1所示的控制曲線進行，恒定濕氧流量，調節氧壓在1×10^-2～3×10^-2托之間，根據氧壓變化調節鉬舟加熱電流，使氧壓始終穩定在1.2×10^-2～1.6×10^-2托。

3、根據權利要求1所述的生產工藝，其特征在于：在基片5與鉬舟7的垂直距離為100～120mm的條件下，鉬舟7的中心點與鍍膜機中心軸的距離為115～130mm。

4、根據權利要求1所述的生產工藝，其特征在于：在距鍍膜機中心軸r＝115～130mm的環形位置上，同時設置多個鉬舟，鉬舟之間采用并聯方式連接。

5、根據權利要求4所述的生產工藝，其特征在于：所有鉬舟使用的加熱電流由同一個電源供給。