[其他]銦錫氧化物透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87107654
• 申請日: 1987-12-31
• 公開（公告）號: CN87107654A
• 公開（公告）日: 1988-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭傳才;金昭廷
• 申請（專利權(quán)）人: 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;C23C14/00
• 代理公司: 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)專利辦公室
• 代理人: 盛湘饒

本發(fā)明涉及優(yōu)質(zhì)銦錫氧化物（ITO）透明導(dǎo)電膜的制備及大規(guī)模工業(yè)性生產(chǎn)工藝。

ITO透明導(dǎo)電膜是光電性能完美結(jié)合的多功能薄膜材料。廣泛用于液晶顯示、固體顯像、光電轉(zhuǎn)換、電致發(fā)光的透明電極。在現(xiàn)有技術(shù)中，制備ITO透明導(dǎo)電膜有多種工藝，如陰極反應(yīng)濺射、高頻反應(yīng)濺射、磁控反應(yīng)濺射、反應(yīng)離子鍍、反應(yīng)蒸發(fā)、熱分解或熱噴涂沉積等。其中反應(yīng)蒸發(fā)有電子槍反應(yīng)蒸發(fā)氧化銦參雜氧化錫的，也有電阻加熱蒸發(fā)氧化銦參雜氧化錫的，還有電阻加熱兩個舟分別反應(yīng)蒸發(fā)銦和錫的。歐洲專利EP030732A₂介紹了一種反應(yīng)蒸發(fā)法制造ITO膜的生產(chǎn)工藝，它解決了在塑料基底上低溫沉積ITO膜的穩(wěn)定性問題，但它因采用的是兩步工藝，而使得反應(yīng)蒸發(fā)不能直接穫得透明膜，必須在反應(yīng)蒸發(fā)后再做氧化性熱處理才能得到一定透明度的ITO膜。日本專利昭和57-208033報道了用磁控反應(yīng)濺射法低溫制備ITO膜的方法，其優(yōu)點是用銦錫合金替代氧化銦和氧化錫混和物，以解決制造彩色攝像管透明電極時產(chǎn)生粒子飛濺導(dǎo)致成品率低的問題，但其性能也不令人滿意：方阻為3KΩ/口，在400～700nm，透過率85%以上。上述幾種ITO膜的制備工藝，普遍存在的問題是成本高、效率低、工藝和性能的重現(xiàn)性差，不能滿足大規(guī)模工業(yè)性生產(chǎn)的要求。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種制備優(yōu)質(zhì)ITO透明導(dǎo)電膜的工業(yè)性生產(chǎn)工藝，其特點是：1.在低溫基片上快速直接穫得優(yōu)質(zhì)ITO膜;2.在最通用和最簡便的設(shè)備上實現(xiàn)工藝和性能的重現(xiàn)性達到或接近100%;3.適合大面積均勻ITO膜的生產(chǎn)。

本發(fā)明是通過如下方式實現(xiàn)的：ITO膜的優(yōu)良性能，雖與錫參雜的濃度有關(guān)，但起決定作用的是膜中的氧空位濃度。因此工藝技術(shù)參數(shù)的組合應(yīng)使ITO膜中形成合適的氧空位濃度。經(jīng)大量實驗，我們發(fā)現(xiàn)了在反應(yīng)蒸發(fā)銦錫合金制備ITO膜的工藝中使ITO膜形成合適的氧空位濃度的工藝技術(shù)參數(shù)的組合方式。這種組合方式是造成低溫快速成膜的特定條件，能使ITO膜的電阻率和透過率得到完美的結(jié)合。本發(fā)明所確定的工藝技術(shù)參數(shù)的組合方式是：

銦∶錫＝10∶1（重量比）

基片加熱溫度????150～200℃

濕氧流量????80～160ml/分

反應(yīng)蒸發(fā)氧壓 1×10^-2～3×10^-2托

蒸發(fā)鉬舟尺寸（加熱部份）????（5～10）mm×（8～12）mm

鉬舟加熱溫度????880～920℃

沉積速度????300～600埃/分

蒸發(fā)時間????2～5分

沉積周期????20～25分

基片與蒸發(fā)源垂直距離????100～120mm

基片旋轉(zhuǎn)速度????25轉(zhuǎn)/分

蒸發(fā)料總量????0.2～0.3克