[其他]半導體器件及其制造方法無效
| 申請號： | 87106738 | 申請日： | 1987-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN87106738A | 公開（公告）日： | 1988-04-06 |
| 發明（設計）人： | 大沼誠 | 申請（專利權）人： | 松下電子工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/18;H01L27/10;H01L21/72;G01C17/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在ROM(只讀存儲器)中采用了MIS型多柵結構的晶體管，方法是在各柵中配置了閾值電壓控制區和利用各柵的閾值電壓差。在閾值電壓控制區中，其中一個柵結構具有這樣獲得的多柵結構采用第一柵結構部分作為掩模刻蝕襯底的半導體，以便在刻蝕過的表面形成規定的雜質擴散層，同時在該雜質擴散層上形成第二柵結構部分，所述第一和第二柵結構部分可采用自行配合的方法形成，它們的就位很簡單，因而可進一步縮小各部件的體積，可構成適宜更高集成度的結構。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1、一種半導體器件，其特征在于，該器件包括：-第一雜質擴散層，配置在半導體襯底上的一個選擇區；至少其中一個第一柵由第一柵絕緣薄膜和配置在所述第一雜質擴散層的一個第一柵電極組成；所述半導體襯底的一凹面，與所述第一柵毗鄰配置；-第二雜質擴散層，配置在所述凹面上；至少其中一個第二柵由第二柵絕緣薄膜和配置在所述第二雜質擴散層的第二柵電極組成。
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