[其他]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 87106738
• 申請日: 1987-09-28
• 公開（公告）號: CN87106738A
• 公開（公告）日: 1988-04-06
• 發明（設計）人: 大沼誠
• 申請（專利權）人: 松下電子工業株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/18;H01L27/10;H01L21/72;G01C17/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,杜有文

1、一種半導體器件，其特征在于，該器件包括：

-第一雜質擴散層，配置在半導體襯底上的一個選擇區；

至少其中一個第一柵由第一柵絕緣薄膜和配置在所述第一雜質擴散層的一個第一柵電極組成；

所述半導體襯底的一凹面，與所述第一柵毗鄰配置；

-第二雜質擴散層，配置在所述凹面上；

至少其中一個第二柵由第二柵絕緣薄膜和配置在所述第二雜質擴散層的第二柵電極組成。

2、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底的深度等于或大于第一雜質擴散層的厚度。

3、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，所述第一雜質擴散層和第二雜質擴散層含有同類雜質。

4、根據權利要求1的半導體器件，其特征在于，所述第一雜質擴散層含第一雜質元素，所述第二雜質擴散層含第二雜質元素。

5、根據權利要求3的半導體器件，其特征在于，所述雜質為砷或磷離子。

6、一種制造半導體器件的方法，其特征在于，該方法包括下列步驟;

在半導體襯底的預定區中形成至少其中一個第一雜質擴散層;

在所述第一雜質擴散層和所述半導體襯底上形成多個第一柵絕緣薄膜和多個第一柵電極;

用所述多個第一柵電極作掩模有選擇地刻蝕掉所述第一雜質擴散層和/或所述半導體襯底;

必要時，在至少其中一個所述凹面中形成第二雜質擴散層;和

在所述凹面中形成多個第二柵絕緣薄膜和多個第二柵電極。

7、根據權利要求6的方法，其特征在于，第二雜質擴散層系以第一柵電極作掩模用離子注入技術通過自對準的方式形成的。

8、根據權利要求6的方法，其特征在于，所述半導體襯底有選擇地加以刻蝕的深度等于或大于所述第一雜質擴散層的厚度。

9、根據權利要求6的方法，其特征在于，通過有選擇地刻蝕所述半導體襯底所形成的凹面有多個，且所述第二柵絕緣薄膜和所述第二柵電極系在各所述凹面上形成的。

10、一種多柵晶體管，其特征在于，該晶體管包括：

多個凸出部分，在半導體襯底上形成;

第一絕緣薄膜，在所述凸出部分頂部形成;

第一柵電極，在所述凸出部分的所述第一絕緣薄膜上形成;

第二絕緣薄膜，在所述第一柵電極頂部側面和所述半導體襯底表面上形成;

第二柵電極，在位于所述半導體表面的所述第二絕緣薄膜上形成。

11、根據權利要求10的多柵晶體管，其特征在于，至少其中一個所述凸出部分摻有雜質。