[其他]提高場效應晶體管柱絕緣性的方法無效

申請號：	87104018	申請日：	1987-06-01
公開（公告）號：	CN87104018B	公開（公告）日：	1988-08-10
發明（設計）人：	胡縉昌;龐金興;丁振亞	申請（專利權）人：	武漢工業大學
主分類號：	H01L21/56	分類號：	H01L21/56;H01L23/30
代理公司：	湖北省專利事務所	代理人：	李延瑾,朱盛華
地址：	湖北省武***	國省代碼：	湖北;42
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摘要：	本發明是一種處理場效應晶體管柱封裝的玻璃表面，提高其絕緣性的方法，該方法是采用有機硅烷對場效應晶體管柱進行處理，處理過程為清洗表面，有機硅烷浸泡，紅外干燥，固化，抽取，再紅外干燥，干燥器中干燥。本發明具有工藝過程簡單，易于操作，無毒害作用的優點。玻璃表面經處理后肉眼觀察不出其變化。經本法處理過的玻璃封裝場效應晶體管柱電阻率可達1013歐姆·厘米以上，并具有良好的憎水性，抗濕性，耐酸性。
搜索關鍵詞：	提高場效應晶體管柱絕緣性方法
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【主權項】：

1.一種提高場效應晶體管柱絕緣性的方法，是將晶體管柱封裝的玻璃表面、經二官能團的有機硅烷溶液浸漬、固化、干燥處理。其特征在于、處理之前先經有機溶劑清洗、而后經有機硅烷溶液浸泡、固化、然后置于脂肪提取器中進行反復抽取。而后再紅外干燥。反復以上過程3--7次后、再在干燥器中干燥、二官能團的有機硅烷選用雙官能團帶苯基PH2Si(OR)2有機硅烷。

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