[其他]提高場效應晶體管柱絕緣性的方法無效
| 申請號: | 87104018 | 申請日: | 1987-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN87104018B | 公開(公告)日: | 1988-08-10 |
| 發明(設計)人: | 胡縉昌;龐金興;丁振亞 | 申請(專利權)人: | 武漢工業大學 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/30 |
| 代理公司: | 湖北省專利事務所 | 代理人: | 李延瑾,朱盛華 |
| 地址: | 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 場效應 晶體 管柱 絕緣性 方法 | ||
本發明是一種處理場效應晶體管柱,提高其絕緣性的方法。
近幾年來,電子工業的迅速發展,要求提供高絕緣電阻值的半導 體器件,其絕緣電阻≥1013歐姆·厘米,高的甚至要≥1014~ 1015歐姆·厘米,并在潮濕情況下保持不變。電真空封裝玻璃是電 子工業重要的原材料之一,其中的DM-308玻璃具有與可伐件良 好匹配的性能,沿用達三十年之久,但它的最大缺點是化學穩定性差, 尤其在潮濕情況下,使半導體的絕緣電阻值下降1~2個數量級,嚴 重影響產品質量。因此增加DM~308玻璃的化學穩定性,提高其 電阻值成為急待解決的問題。以往一般采用改變玻璃的成分或微晶熔 封,來達到改良玻璃性能,提高其電阻值的目的。但玻璃性能雖經改 進,但其電阻值還是小于1013歐姆·厘米,達不到高電阻值的要求。 而且穩定性還是差,特別是在潮濕情況下,尤為突出。
美國專利US4455330為提高玻璃纖維或玻璃纖維塑料的絕緣性, 采用有機硅烷對它們進行浸泡處理,絕緣性一般可提高到1013~ 1015歐姆·厘米,最高可達到1017歐姆·厘米,他們使用的有機 硅烷是單官能團的有機硅烷,而且在配制有機硅烷溶液時所用的溶劑 為有毒的甲醇。
本發明的目的是為提高玻璃封裝場效應晶體管柱的絕緣性,尋求 一種有機硅烷對其進行處理,處理后,使其絕緣電阻可達到1013歐姆·厘米,最高可達1015歐姆·厘米,而且在潮濕等情況影響下, 絕緣電阻無明顯變化。
本發明的內容是用有機硅烷溶液處理玻璃封裝場效應晶體管柱及 處理過程。
將場效應晶體管柱封裝的玻璃表面用有機溶劑清洗后,用有機硅 烷溶液進行處理。處理過程是:玻璃表面先用石油醚、乙醚、丙酮、 氯仿等有機溶液清洗,再用紅外燈干燥后浸入到有機硅烷溶液中1~ 5分鐘,取出,再用紅外燈干燥,而后置于烘箱中固化,固化溫度為 160~175℃,固化時間為5~30分鐘。然后置于脂肪提取器 中進行反復抽取,抽取時間約24小時。抽取后取出再用紅外燈干燥, 如此反復8~7次(見附圖)后,再將管柱置于干燥器中干燥。
有機硅烷以雙官能團帶苯基〔Ph2Si(OR)2〕為好,式 中R表示烷基,一般是甲基或乙基。有機硅烷的配制方法是:用95% 的乙醇作溶劑,將???????????純度為95%以上的有機硅烷 〔(C6H5)2Si(OC2H5)2〕溶于其中,用醋酸調節其PH值為5, 溶液濃度為0.5~1摩爾。
玻璃由連續三維網絡結構構成,每個陽離子被數目相當于其配位 數的氧原子所圍繞。由于玻璃中多數陽離子很小,且具有較大的場強, 它們對臨近的陽離子施加一定的作用力,這些力在玻璃內部達到平衡, 但在表面則不然,結果形成表面力,使玻璃表面活性較大。當玻璃置 于大氣中,表面則吸附一層超微的水層:
接近玻璃層的水分子依與玻璃結合
玻璃表面
這樣使得玻璃表面在潮濕條件下,電阻率下降。
本方法采用有機硅烷對玻璃封裝的場效應管柱表面進行處理時, 由于有機硅烷水解可形成結構,它可與玻璃表面的 產生以下的縮水作用:
這樣鍵合的結果,提高了玻璃封裝場效應晶體管柱的憎水性,抗濕性 及絕緣性。
本方法工藝過程簡單,易于操作,無毒害作用。場效應晶體封裝 的玻璃表面經本法處理后,其表面的變化肉眼觀察不出來。
經過本方法處理過的玻璃封裝場效應晶體管柱其絕緣性大大提高, 而且水泡、鹽霧、潮濕、酸泡等情況,對管柱的絕緣性沒有影響或無 明顯影響,由此說明管柱具有良好的憎水性、抗濕性及高絕緣性,這 從以下的實驗可以看出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





