[其他]用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法沉積垂直方向電阻的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86107982 | 申請(qǐng)日： | 1986-11-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN86107982A | 公開（公告）日： | 1987-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 利澳波多·D·邱;陳士歐;林義雄 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/205 | 分類號(hào)： | H01L21/205;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 吳增勇,肖春京 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 經(jīng)過改良的、用于MOS集成電路的電阻。在一層隔離兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)域的絕緣層里開一個(gè)孔。通過等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法，如同富硅氮化物的鈍化材料便被沉積在該窗口之中，該沉積物與兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)都接觸、從而在這兩區(qū)之間形成垂直方向的電阻。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 增強(qiáng) 化學(xué) 沉積 垂直 方向 電阻 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、半導(dǎo)體器件中制造兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間的電阻的方法，其特征在于包括在所述的導(dǎo)電區(qū)之間形成一層用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積的半絕緣薄膜，所述的薄膜與所述的兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)均接觸并在所述的導(dǎo)電區(qū)之間產(chǎn)生電阻，由此制成電阻元件。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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