[其他]用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法沉積垂直方向電阻的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86107982
• 申請(qǐng)日: 1986-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN86107982A
• 公開（公告）日: 1987-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 利澳波多·D·邱;陳士歐;林義雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205;H01L21/70
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 吳增勇,肖春京

1、半導(dǎo)體器件中制造兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間的電阻的方法，其特征在于包括在所述的導(dǎo)電區(qū)之間形成一層用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積的半絕緣薄膜，所述的薄膜與所述的兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)均接觸并在所述的導(dǎo)電區(qū)之間產(chǎn)生電阻，由此制成電阻元件。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述的半絕緣薄膜是由富硅氮化硅組成。

3、制造集成電路的電阻的方法，該電阻在由一層絕緣層隔開的兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間，該方法特征在于包括以下步驟：

在襯底上形成一個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)域;

在所說的第一導(dǎo)電區(qū)域上形成一個(gè)第一絕緣層;

在所述的第一絕緣層內(nèi)開一個(gè)窗口;

具有硅烷、氮和氨的混合物的富硅氮化硅的組成形成一個(gè)半絕緣薄膜，該薄膜是通過一等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)，在所述的窗口內(nèi)形成的，所述的薄膜接觸所述的第一導(dǎo)電區(qū)域;

在所述的薄膜上形成一個(gè)第二導(dǎo)電區(qū)域;

其中一個(gè)電阻元件制作在所述的兩個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征還包括以下步驟：

在形成所述窗口之前，在所述的第一絕緣層上形成一個(gè)第二絕緣層;以及在兩個(gè)所述的絕緣層內(nèi)開所述的窗口。

5、根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于所說的第二絕緣層是由玻璃組成。

6、半導(dǎo)體器件中制造電阻的方法，其特征在于包括以下步驟：

在襯底上形成第一導(dǎo)電層;

在所述第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層;

在所述第一絕緣層上開窗口;

在所述的窗口中形成富硅氮化硅薄膜，使用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相淀積技術(shù)把所述的富硅氮化硅薄膜沉積在所述的窗口內(nèi)，所述的富硅氮化硅薄膜接觸所述的第一導(dǎo)電層;

在所述的富硅氮化硅薄膜上形成一個(gè)第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層接觸所述富硅氮化硅薄膜;

其中在兩導(dǎo)電區(qū)之間制成一電阻元件。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述的第一絕緣層是由一氧化層組成。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述的第二導(dǎo)電層是由在所述的富硅氮化硅薄膜上的一層鈦和在所述的鈦層上的一層鋁一硅層組成。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于還包括以下步驟：

在開所述的窗口之前，在所述的第一絕緣層上形成一個(gè)第二絕緣層;在所說的兩個(gè)絕緣層內(nèi)開所述的窗口。

10、制造集成電路電阻的方法，特征在于包括以下步驟：

在襯底上生長(zhǎng)一個(gè)柵氧化層;

除去一部分所述柵氧化層，以使該部分的襯底暴露;

在所述的柵氧化層上和所述暴露部分的襯底上形成一個(gè)多晶硅層;

通過磷擴(kuò)散對(duì)所述的多晶硅層進(jìn)行摻雜，其中一個(gè)埋置接觸區(qū)在所述暴露部分的襯底中形成;

在所述多晶硅層上形成一層鎢-硅層;

在所述的鎢硅層上生長(zhǎng)一層氧化層;

在所述的氧化層上形成一絕緣層;

在所述的絕緣層上和所述的氧化層上開一窗口，其中所述的開口延伸到所述的鎢-硅層;

在所述窗口中形成富硅氮化硅薄膜，所述的富硅氮化硅薄膜是使用等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相淀積技術(shù)被沉積在所述窗口的，所述富硅氮化硅薄膜接觸所說的鎢-硅層;

在所說的富硅氮化硅薄膜上形成一個(gè)導(dǎo)電層，所說的導(dǎo)電層具有一鈦層和一鋁硅層;

其中一個(gè)電阻元件便在集成電路的兩個(gè)導(dǎo)體之間被制成。

11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述的絕緣層是由選自亞磷玻璃（phosphorus??glass）和硼-二氧磷基硅酸鹽玻璃所構(gòu)成的這組材料中的一種材料所組成。

12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述的富硅氮化硅薄膜是在壓力近似為0.5～1.5托，溫度近似為308～505℃時(shí)，由硅烷氮和氨的混合物所形成。