[其他]制備銦-113m發生器的化學處理方法無效
| 申請號： | 86105863 | 申請日： | 1986-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN86105863B | 公開（公告）日： | 1988-07-27 |
| 發明（設計）人： | 李茂良;許懷忠;宋道海;王義如 | 申請（專利權）人： | 核工業部第一研究設計院 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 核工業部專利法律事務所 | 代理人： | 孟慶銓 |
| 地址： | 四川省成都*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本發明涉及一種專用于醫學的放射性同位素制備方法，即對在制備過程中涉及到的化學處理部分予以改進。方法是將輻照過的高純錫溶解后成ＳｎＣｌ |
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| 搜索關鍵詞： | 制備 113 發生器 化學 處理 方法 | ||
【主權項】：
1.一種用輻照后的錫靶制備銦-113m發生器的化學處理方法，包括將輻照后的錫靶用酸溶解制成113SnCl4，使該溶液通過錫柱以除去放射性雜質，本發明的特征在于將113SnCl4與ZrOCl2混合，滴加濃氨水制成113SnO2-ZrO2混合膠體，抽吸過濾，烘干制成。
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