[其他]制備銦-113m發生器的化學處理方法無效
| 申請號: | 86105863 | 申請日: | 1986-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN86105863B | 公開(公告)日: | 1988-07-27 |
| 發明(設計)人: | 李茂良;許懷忠;宋道海;王義如 | 申請(專利權)人: | 核工業部第一研究設計院 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 核工業部專利法律事務所 | 代理人: | 孟慶銓 |
| 地址: | 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 113 發生器 化學 處理 方法 | ||
1、一種用輻照后的錫靶制備銦-113m發生器的化學處理方法,包括將輻照后的錫靶用酸溶解制成113SnCl4,使該溶液通過錫柱以除去放射性雜質,本發明的特征在于將113SnCl4與ZrOCl2混合,滴加濃氨水制成113SnO2-ZrO2混合膠體,抽吸過濾,烘干制成。
2、根據權利要求1所述的銦-113m發生器的化學處理方法,其特征在于烘干后形成的無定形顆粒直接裝入交換柱中。
3、根據權利要求1所述的銦-113m發生器的化學處理方法,其特征在于滴加濃氨水的量以溶液pH值為4最佳。
4、根據權利要求1所述的銦-113m發生器的化學處理方法,其特征在于113SnCl4與ZrOCl2混合用量按Sn/Zr原子量之比為2/3。
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