[其他]在半導體襯底材料接觸區制作電接觸的方法無效

申請號：	86105085	申請日：	1986-08-13
公開（公告）號：	CN86105085A	公開（公告）日：	1987-03-18
發明（設計）人：	洛薩爾·布洛斯費爾德	申請（專利權）人：	德國ITT工業股份有限公司
主分類號：	H01L21/18	分類號：	H01L21/18;H01L21/82
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	劉暉
地址：	聯邦德國弗***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	在制造電接觸(1)時，使用了多晶硅電極層(4)，其邊緣搭在與襯底(3)連接的絕緣物上，至少搭在邊緣(52)的部分斜坡上。電極層(4)在腐蝕工藝中用做限定側向邊界的掩膜。于是，在電極層(4)的邊緣下面形成一個框架形薄層(5)，并露出與薄層(5)相鄰的襯底(3)的接觸區(2)。再淀積可以形成硅化物的金屬層，其厚度小于薄層(5)的厚度。當加熱形成硅化物后，沒有與硅反應的金屬，用選擇性溶解金屬腐蝕劑去除。
搜索關鍵詞：	半導體襯底材料接觸制作方法
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【主權項】：

1、一種在半導體材料襯底(3)的接觸區(2)上制造電接觸的方法，緊靠多晶硅電極層(4)，多晶硅在電極層(4)的接觸面(6)與襯底(3)相連接，電極層(4)的邊緣至少有一部分在與襯底(3)相連的絕緣的框架形薄層(5)之上，其特征在于：用電極層(4)做為腐蝕工藝的側面邊界，至少使框架形薄層(5)一部分絕緣和襯底(3)上與其相鄰的接觸區(2)露出來。隨后在片子露出的表面上淀積一層可以形成金屬硅化物的金屬層。其厚度小于上述薄層(5)的厚度。隨后適當加熱片子，使金屬與其下面電極層(4)以及襯底(3)的硅生成金屬硅化物，而與絕緣物不起化學反應。在加熱和冷卻之后，對沒有與硅起反應的金屬，用選擇性的只溶解該金屬的腐蝕劑將其去掉。

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