[其他]在半導體襯底材料接觸區制作電接觸的方法

無效

• 申請號: 86105085
• 申請日: 1986-08-13
• 公開（公告）號: CN86105085A
• 公開（公告）日: 1987-03-18
• 發明（設計）人: 洛薩爾·布洛斯費爾德
• 申請（專利權）人: 德國ITT工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/82
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

本發明涉及的是緊靠多晶硅電極層加上一個自對準的電接觸的方法。由DE-Al-3243059已知該種方法，它在超高頻雙極型晶體管集成電路中具有特殊意義。

按照上述德國公開的文件中提到的方法電極層和電接觸使用的都是多晶硅，根據上述公開文件的基本思想，不僅發射區電極層，而且基區電接觸使用的都是多晶硅;多晶硅的摻雜類型與要做接觸區域的導電類型一致，它不僅用作擴散源也用作電接觸材料。當然，在這種情況下，發射區電極層對準著發射區，基區電接觸對準著外部無源基區。所以，每個電接觸與相應的要做接觸區域的相互對準不受光刻工藝對準精度的支配。事實上，在該常規方法中用一種特殊的干法腐蝕工藝實現了基區電接觸與發射區電極間均勻的邊緣隔離，使電接觸與它們的區域相互之間也是自對準的。如“Japanese????Journal????of????Applied????Physics”Vol.20（1981）Suppl.20-I，PP.155-159中一文所述，在所謂的“SST”結構中實現了這種目對準，它是以應用多晶硅熱氧化制造邊緣隔離為基礎的。

上述方法的缺點是電極層和電接觸的材料只限于多晶硅。另一個基本缺點是電極層和電接觸的重疊是不可避免的。然而，這種重疊是超高頻集成電路中包括的雙極型晶體管的發射區一基區電容增加的原因。正如上述先有技術出版物中所述。

因此，本發明的目的是提供一種方法，在集成電路中，在沒有任何重疊的，緊靠電極層中用自對準方法制造電接觸。

從而，本發明提供的是一種在半導體材料襯底上電接觸區內制作電接觸的方法，該電接觸緊靠多晶硅電極層，多晶硅是在電極層的電接觸面與襯底連接在一起的。如權利要求1的前言所述。所以，電極層的邊緣至少是部分地在一個框架形的絕緣層之上與襯底相連接。在上述現有技術文件中提到的常規雙極型晶體管，電接觸在整個電極層的邊緣都是這樣重疊著。

按照本發明的特征是：用電極層（4）做為腐蝕工藝的側面邊界，至少使框架形薄層（5）一部分絕緣和襯底（3）上與其相鄰的接觸區（2）露出來。

隨后在片子露出的表面上淀積一層可以形成金屬硅化物的金屬層，其厚度小于上述薄層（5）的厚度。

隨后適當加熱片子，使金屬與其下面電極層（4）以及襯底（3）的硅生成金屬硅化物，而與絕緣物不起化學反應。

在加熱和冷卻之后，對沒有與硅起反應的金屬，用選擇性的只溶解該金屬的腐蝕劑將其去掉。

本發明方法的主要基本特點是把電極層用作腐蝕掩膜，以便至少使電極層邊緣的一部分露出半導體表面，同時應用一種能夠生成硅化物的金屬，它不僅與電極層表面而且與襯底表面生成一層硅化物。例如，這類金屬是鎢或鉑，見“IEEE????Electron????Device????Letters”。Vol.EDL-6，NO.7，（1985.7），PP372-374。由DE-Al-3315719中已知，其它金屬例如是鉬、鉭或鈦。

下面參照附圖1-10說明本發明，其中：

圖1，用于說明開始時提到的常用方法

圖2，本發明的應用實例

圖3，按照本發明所用方法的主要工藝步驟。

圖4-9，表示應用本發明的方法成功地制造雙極型晶體管超高頻單片集成電路時，依次進行的工作步驟。

圖10，表示用本發明的方法制造的集成雙極型晶體管的一部分，這一步驟最清楚地說明本發明方法的主要優點。

本發明的方法最大優點是用于制造由集成雙極型晶體管構成的超高頻單片集成電路，該類型的集成電路如EP-Al-71665所述。該方法主要是利用一個覆蓋住集成雙極型晶體管發射區，并有一定厚度的氧化掩膜層，依次進行兩次不同加速度能量的離子注入，一次注入無源基區摻雜，另一次注入有源基區摻雜。此外，氧化掩蔽層可以用基區自對準的方式，制造注入掩膜或發射區注入摻雜掩膜，然而在常規方法中，沒有提供彼此之間的或區域的自對準電接觸或電極的制造。但是本發明的方法為此提供了一種極好的解決方法。