[其他]在半導(dǎo)體襯底材料接觸區(qū)制作電接觸的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86105085
• 申請日: 1986-08-13
• 公開（公告）號: CN86105085A
• 公開（公告）日: 1987-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洛薩爾·布洛斯費爾德
• 申請（專利權(quán)）人: 德國ITT工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/82
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種在半導(dǎo)體材料襯底(3)的接觸區(qū)(2)上制造電接觸的方法，緊靠多晶硅電極層(4)，多晶硅在電極層(4)的接觸面(6)與襯底(3)相連接，電極層(4)的邊緣至少有一部分在與襯底(3)相連的絕緣的框架形薄層(5)之上，其特征在于：

用電極層(4)做為腐蝕工藝的側(cè)面邊界，至少使框架形薄層(5)一部分絕緣和襯底(3)上與其相鄰的接觸區(qū)(2)露出來。

隨后在片子露出的表面上淀積一層可以形成金屬硅化物的金屬層。其厚度小于上述薄層(5)的厚度。

隨后適當(dāng)加熱片子，使金屬與其下面電極層(4)以及襯底(3)的硅生成金屬硅化物，而與絕緣物不起化學(xué)反應(yīng)。

在加熱和冷卻之后，對沒有與硅起反應(yīng)的金屬，用選擇性的只溶解該金屬的腐蝕劑將其去掉。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：電極層（4）至少部分地覆蓋薄層（5）的邊緣和其在邊緣的斜坡上，形成固態(tài)集成電路布線圖中帶狀線部分，在上述帶狀線上淀積形成硅化物的金屬膜。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：與襯底（3）接觸的電極層（4）的邊緣限定一個區(qū)域（7）的接觸面（6），該區(qū)域在制造電極（4）之前，用薄層（5）作為掩膜部分置入襯底（3）的表面。

4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：電極層（4）的邊緣限定一個區(qū)域（7）的接觸面（6），在制成摻雜硅的電極層（4）之后，將其作為向襯底（3）上的區(qū)域（7）進行擴散的擴散源，利用薄層（5）作為擴散掩膜部分。

5、根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于：上述薄層（5）是襯底（3）進行熱氧化制成的，在氧化過程中，區(qū)域（7）的接觸面（6）是借助氧化掩蔽層（8）保護的。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：上述氧化掩膜層（8）的厚度是這樣確定的，使上述掩膜（8）被兩次注入工藝中的一次穿透，在集成雙極型晶體管中注入發(fā)射區(qū)（7）為界的基區(qū)（9），以便在上述發(fā)射區(qū)（7）下面形成由無源基區(qū)（91）與薄的有源基區(qū)（92）組成的基區(qū)（9）。

7、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，框架形薄層（5）是在一個絕緣層的邊緣形成的，該絕緣層的厚度小于上述框架形薄層（5）。