[其他]二氧化碲單晶體的生長技術無效
| 申請號： | 85107803 | 申請日： | 1985-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN85107803A | 公開（公告）日： | 1987-04-15 |
| 發明（設計）人： | 蒲芝芬;葛增偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 潘振甦,聶淑儀 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一種屬于晶體生長技術的二氧化碲(TeO2)單晶體生長。其特征在于用坩堝下降法可生長多種切向和形狀的單晶體。利用本技術可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生長方棒、橢圓形、菱形、板狀及圓柱形晶體。所生長晶體可達(70～80)mm×(20～30)mm×100mm。本方法與一般提拉法比具有設備簡單，不受提拉方向和切形限制，基本無污染等優點，而且晶體利用率可相應提高30～100％。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 單晶體 生長 技術 | ||
【主權項】：
1、一種屬于晶體生長技術領域的生長多種切向和形狀的二氧化碲(TeO2)單晶體的技術，包括原料預燒處理、冷卻退火等方面，其特征在于用坩堝下降法生長多種切向和形狀的TeO2晶體。
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