[其他]二氧化碲單晶體的生長技術無效
| 申請號： | 85107803 | 申請日： | 1985-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN85107803A | 公開（公告）日： | 1987-04-15 |
| 發明（設計）人： | 蒲芝芬;葛增偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 潘振甦,聶淑儀 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 單晶體 生長 技術 | ||
【權利要求書】：
1、一種屬于晶體生長技術領域的生長多種切向和形狀的二氧化碲(TeO2)單晶體的技術，包括原料預燒處理、冷卻退火等方面，其特征在于用坩堝下降法生長多種切向和形狀的TeO2晶體。
2、按權利要求1所述的多種切向和形狀TeO2晶體，其特征在于多種形狀可為方棒、橢園形、菱形、板狀、園柱形等。多種切向為〔110〕〔001〕〔100〕面并可以沿其中任一方向生長。
3、按權利要求1所述的原料預燒處理，其特征在于生長晶體用的光譜純粉末，快速升溫到700℃，保溫12-15小時，再快速冷卻至常溫。
4、按權利要求1所述的坩堝下降生長晶體，其特征在于先以每小時80～100℃速度將爐溫升到預定溫度780～800℃，保溫1-4小時，然后以每小時0.2-0.8mm速度下降坩堝，生長晶體。
5、按權利要求1所述的冷卻，其特征在于以每小時15～20℃速度將爐溫降到100℃以下，隨后冷卻至室溫。
6、按權利要求1所述的晶體退火，其特征在于以每小時70-100℃速度升到680～700℃，保溫15～20小時，再慢慢冷卻到室溫。
7、按權利要求3所述的坩堝下降，其特征在于最佳下降速度為0.4-0.6mm/小時。
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