[其他]大直徑鈮酸鋰單晶生長設備及工藝無效
| 申請號： | 85104969 | 申請日： | 1985-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN85104969A | 公開（公告）日： | 1987-01-07 |
| 發明（設計）人： | 馬傳璽;孔寶國;趙軍令;張國賓;周亭亭 | 申請（專利權）人： | 輕工業部玻璃搪瓷工業科學研究所 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B15/14;C30B15/36;C30B29/30 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 上海市新華路*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本發明屬于鈮酸鋰單晶的生長方法。采用電阻爐提拉法生長鈮酸鋰單晶，在電阻爐爐膛的上部空間裝置一耐火材料錐面熱輻射罩，使液面上部的溫度梯度降低到，晶體所在的空間溫度保持在居里點之上，并用鉑銠籽晶桿代替鉑籽晶桿。拉制的單晶直徑在Φ120-200m/m，重量在5-10kg，大大提高了晶體生長效率，節省了人力和能源。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 直徑 鈮酸鋰單晶 生長 設備 工藝 | ||
【主權項】：
1、本發明屬于鈮酸鋰大單晶生長方法，一種由電阻爐和提拉裝置組成的鈮酸鋰單晶生長設備，其特征在于電阻爐爐膛的上部空間有一耐火材料錐面熱輻射罩，提拉裝置結扎籽晶的籽晶桿是用鉑銠制成。
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