[其他]大直徑鈮酸鋰單晶生長設(shè)備及工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85104969 | 申請日: | 1985-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN85104969A | 公開(公告)日: | 1987-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬傳璽;孔寶國;趙軍令;張國賓;周亭亭 | 申請(專利權(quán))人: | 輕工業(yè)部玻璃搪瓷工業(yè)科學(xué)研究所 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B15/14;C30B15/36;C30B29/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 上海市新華路*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 直徑 鈮酸鋰單晶 生長 設(shè)備 工藝 | ||
1、本發(fā)明屬于鈮酸鋰大單晶生長方法,一種由電阻爐和提拉裝置組成的鈮酸鋰單晶生長設(shè)備,其特征在于電阻爐爐膛的上部空間有一耐火材料錐面熱輻射罩,提拉裝置結(jié)扎籽晶的籽晶桿是用鉑銠制成。
2、按權(quán)利要求,所述的耐火材料錐面熱輻射罩,其特征在于錐面熱輻射罩的外形成園柱形,上部有一法蘭邊,輻射罩的上孔直徑小于下孔直徑,兩孔貫穿,輻射罩內(nèi)部成一錐體空間。
3、按權(quán)利要求1所述的爐膛上部空間裝有耐火材料錐面熱輻射罩的單晶生長電阻爐,其特征在于鉑金坩堝液面上的溫度梯度 (dT)/(dZ) |之間。
4、按權(quán)利要求1所述的結(jié)扎籽晶的鉑銠桿,其特征在于由直桿和直角槽焊接組成,直角槽的兩側(cè)成鋸齒形。
5、一種用電阻爐提拉法生長鈮酸鋰單晶的工藝,其特征在于生長的直徑φ120-200mm、重量在5-10kg、軸向為C軸、A軸、〔10.4〕等多種軸向鈮酸鋰單晶,其拉晶的液相溫度在1270-1280℃之間,提拉速度2-1mm/hr,轉(zhuǎn)速為5-3rpm,生長時間48小時左右,晶體出爐后直接進(jìn)極化爐極化處理,極化溫度為1160℃,極化電壓1-2V/cm,板化電流4-5mA/cm2。
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