[其他]光電導膜無效
| 申請號： | 85104072 | 申請日： | 1985-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN85104072B | 公開（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發明（設計）人： | 谷岡健吉;設樂圭一;栗山孝夫;高崎幸男;平井忠明;野中育光;井上榮神 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所;日本放送協會 |
| 主分類號： | H01J29/45 | 分類號： | H01J29/45;H01J31/38;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 吳大建,全菁 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明披露了有關光電導型攝象管靶的光電導膜的一種結構。此類光電導膜主要由Se制成并在其中央部分摻雜Te而形成。除此，將據認為可以形成俘獲Se中電子的深陷阱能級之As；以及通過俘獲Se中的電子形成負空間電荷的GaF3等可添加到存在有Te的區域。另外，于存在有GaF3等的區域中選定了較以往所用的為薄的膜層厚度(不小于20埃且不大于90埃)。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 電導 | ||
【主權項】：
1.一種主要由Se組成的且在光電導層厚度方向上的一部分中摻雜碲使其敏化的光電導膜，其中，在面對掃描電子束的一面鄰近于摻碲區域的部分區域上，含有至少一種這樣的物質，該物質選自在硒中能形成負空間電荷的氧化物和氟化物以及屬于第II、III或VII族的且能在硒中形成負空間電荷的元素，其濃度按重量百分數的平均值計算，不小于10ppm，而又不大于1％，其特征在于：包含能在硒中形成負空間電荷的摻雜物的薄層置于與碲摻雜區相接觸的位置上，并且其厚度不小于20A，而又不大于90A。
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