[其他]光電導(dǎo)膜無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85104072 | 申請(qǐng)日： | 1985-05-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN85104072B | 公開(kāi)（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 谷岡健吉;設(shè)樂(lè)圭一;栗山孝夫;高崎幸男;平井忠明;野中育光;井上榮神 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社日立制作所;日本放送協(xié)會(huì) |
| 主分類號(hào)： | H01J29/45 | 分類號(hào)： | H01J29/45;H01J31/38;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 吳大建,全菁 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明披露了有關(guān)光電導(dǎo)型攝象管靶的光電導(dǎo)膜的一種結(jié)構(gòu)。此類光電導(dǎo)膜主要由Se制成并在其中央部分摻雜Te而形成。除此，將據(jù)認(rèn)為可以形成俘獲Se中電子的深陷阱能級(jí)之As；以及通過(guò)俘獲Se中的電子形成負(fù)空間電荷的GaF3等可添加到存在有Te的區(qū)域。另外，于存在有GaF3等的區(qū)域中選定了較以往所用的為薄的膜層厚度(不小于20埃且不大于90埃)。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電導(dǎo) | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1.一種主要由Se組成的且在光電導(dǎo)層厚度方向上的一部分中摻雜碲使其敏化的光電導(dǎo)膜，其中，在面對(duì)掃描電子束的一面鄰近于摻碲區(qū)域的部分區(qū)域上，含有至少一種這樣的物質(zhì)，該物質(zhì)選自在硒中能形成負(fù)空間電荷的氧化物和氟化物以及屬于第II、III或VII族的且能在硒中形成負(fù)空間電荷的元素，其濃度按重量百分?jǐn)?shù)的平均值計(jì)算，不小于10ppm，而又不大于1％，其特征在于：包含能在硒中形成負(fù)空間電荷的摻雜物的薄層置于與碲摻雜區(qū)相接觸的位置上，并且其厚度不小于20A，而又不大于90A。
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