[其他]光電導膜無效

申請號：	85104072	申請日：	1985-05-28
公開（公告）號：	CN85104072B	公開（公告）日：	1988-02-24
發明（設計）人：	谷岡健吉;設樂圭一;栗山孝夫;高崎幸男;平井忠明;野中育光;井上榮神	申請（專利權）人：	株式會社日立制作所;日本放送協會
主分類號：	H01J29/45	分類號：	H01J29/45;H01J31/38;H01L31/00
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	吳大建,全菁
地址：	日本東京都千***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	電導
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【權利要求書】：

1、一種主要由Se組成的且在光電導層厚度方向上的一部分中摻雜碲使其敏化的光電導膜，其中，在面對掃描電子束的一面鄰近于摻碲區域的部分區域上，含有至少一種這樣的物質，該物質選自在硒中能形成負空間電荷的氧化物和氟化物以及屬于第Ⅱ、Ⅲ或Ⅶ族的且能在硒中形成負空間電荷的元素，其濃度按重量百分數的平均值計算，不小于10ppm，而又不大于1%，其特征在于：包含能在硒中形成負空間電荷的摻雜物的薄層置于與碲摻雜區相接觸的位置上，并且其厚度不小于20A，而又不大于90A。

2、按照權利要求1所述的光電導膜，其中，在硒內形成負空間電荷的前述氧化物至少是選自CuO、In₂O₃、SeO₂、V₂O₅、MoO₃和WO₃中的一種，而在硒中形成負空間電荷的前述氟化物，則至少是GaF₃或InF₃中的任一種，且所說的屬于Ⅱ、Ⅲ或Ⅶ族中的于硒中能形成負空間電荷的元素，則為選自Zn、Ga、In、Cl、I和Br中的至少一種。

3、根據權利要求2所述的光電導膜，其中，厚度不低于20埃且不大于500埃的區域與上述至少摻雜有碲的區域鄰接，其中含有至少一種選自As、Bi、Sb、Ge和Si的元素，其濃度按重量百分數平均值計算不小于1%且不大于30%。

4、根據權利要求3所述的光電導膜，其中，至少有一種選自LiF、MgF₂、CaF₂、AlF₃、CrF₃、MnF₂、CoF₂、PbF₂、BaF₂、CaF₃和TlF的組分包含在以下區域的至少一部分中，此區域吸收入射光并產生絕大部分的信號電流以使所含組分的濃度按重量百分數平均值計算不小于50ppm，且不大于5%。