[其他]具有擬折疊位線的動態(tài)存儲陣列無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85103516 | 申請日： | 1985-05-02 |
| 公開（公告）號： | CN85103516B | 公開（公告）日： | 1987-04-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 麥克爾羅伊 | 申請（專利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | G11C8/02 | 分類號： | G11C8/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 半導(dǎo)體動態(tài)讀/寫存儲裝置含有一單晶體存儲單元的行列陣列，其每列單元有一差動讀出放大器，該讀出放大器所具有的一對平衡位線，它是以擬折疊位線結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并自其輸入端延伸。存儲單元并非直接連于位線上，而是耦合至位線段上。行地址選擇一單元連至線段上，并選擇兩線段的一條來與兩位線的一條相聯(lián)。單元的字線是成組地連于兩位線上的，而不是一對一的交錯。每段線有一組字線，而各組是互相交錯的。若與一對一交錯方案比較，組合的段線及位線電容對存儲電容具有更佳的比率。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 折疊 動態(tài) 存儲 陣列 | ||
【主權(quán)項】：
1.一半導(dǎo)體動態(tài)讀/寫存儲裝置，包括有：在一半導(dǎo)體的一面所構(gòu)成的單晶體管讀/寫存儲單元行列陳列，每列具有一對與列存儲單元相聯(lián)的平衡位線，一行中的每個存儲單元具有一存取晶體管，晶體管的柵極與一作為該行單元的行線相聯(lián)，多個差動讀出放大器，每個讀出放大器具有一對輸入端，輸入端與所說列中兩列的所說位線對相耦合，在折疊位線結(jié)構(gòu)中，所說位線對的兩線均實際地置于讀出放大器的同側(cè)，其特征在于一列中的所說存儲單元以鄰近單元為一組構(gòu)成偶數(shù)個組，所有各組單元的存取晶體管的源極至漏極通路由各自的一位線段耦合至相同的位線上，其它各組單元也是由所說的位線段連接到各自對應(yīng)的位線對的位線上的。
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