[其他]具有擬折疊位線的動態存儲陣列

無效

• 申請號: 85103516
• 申請日: 1985-05-02
• 公開（公告）號: CN85103516B
• 公開（公告）日: 1987-04-15
• 發明（設計）人: 麥克爾羅伊
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: G11C8/02
• 分類號: G11C8/02
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1.一半導體動態讀/寫存儲裝置，包括有：

在一半導體的一面所構成的單晶體管讀/寫存 儲單元行列陳列，每列具有一對與列存儲單元相聯的 平衡位線，一行中的每個存儲單元具有一存取晶體 管，晶體管的柵極與一作為該行單元的行線相聯，

多個差動讀出放大器，每個讀出放大器具有一對 輸入端，輸入端與所說列中兩列的所說位線對相耦 合，在折疊位線結構中，所說位線對的兩線均實際地 置于讀出放大器的同側，

其特征在于一列中的所說存儲單元以鄰近單元 為一組構成偶數個組，所有各組單元的存取晶體管的 源極至漏極通路由各自的一位線段耦合至相同的位 線上，其它各組單元也是由所說的位線段連接到各自 對應的位線對的位線上的。

2.權利要求1中所述的存儲裝置，其中所說位線 段是被拉伸的N+摻雜區，所說位線是由一絕緣層與 所說面相隔離的導電片條。

3.權利要求1中所述的存儲裝置，其中所說位線 段是由一地址譯碼器激勵的晶體管將其有選擇地連 至所說位線的。