[其他]制造半導(dǎo)體集成電路的隔離方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85100998 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100998A | 公開（公告）日： | 1986-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張桂霞 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京電子一廠 |
| 主分類號： | H01L21/76 | 分類號： | H01L21/76;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京電子管廠科技部新品開發(fā)室代理組 | 代理人： | 王蘊(yùn),袁兆南 |
| 地址： | 北京東*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種制造半導(dǎo)體集成電路的隔離方法，特別是應(yīng)用反向擴(kuò)散制造超高頻電路的隔離方法。其特征是雜質(zhì)在襯底和外延層之間，由下至上進(jìn)行反向擴(kuò)散，形成P-N結(jié)隔離。該方法較常規(guī)P-N結(jié)隔離方法簡單，隔離效果好，成本低。能使電路管芯面積成倍縮小，從而提高集成度和頻率。利用本發(fā)明可以很容易地制造出超高頻雙極型線性電路。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 半導(dǎo)體 集成電路 隔離 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種半導(dǎo)體集成電路的隔離方法是在P-Si襯底上做n+埋層擴(kuò)散，再做N型外延生長，然后做P+隔離擴(kuò)散，使雜質(zhì)由外延層上向外延層下擴(kuò)散，達(dá)到隔離目的。本方法的特征是做N型外延之前，先做P+雜質(zhì)予隔離擴(kuò)散。外延之后做氧化，在氧化過程中，同時(shí)達(dá)到隔離目的。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
