[其他]磷酸氧鈦鉀單晶的熔鹽生長方法和有關裝置無效
| 申請號： | 85100836 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100836B | 公開（公告）日： | 1988-07-20 |
| 發明（設計）人： | 沈德忠;黃朝恩 | 申請（專利權）人： | 國家建筑材料工業局人工晶體研究所 |
| 主分類號： | C30B29/14 | 分類號： | C30B29/14;C30B9/04 |
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| 地址： | 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | KTP單晶的熔鹽生長方法，是一種非線性光學晶體磷酸氧鈦鉀(KTiOPO4，簡稱KTP)的生長方法。本發明采用KTiOPO4化合物為原料、多磷酸鉀為熔劑生長KTP單晶的熔鹽生長法。介紹了晶體生長所需要的裝置和必要的參數，指出KTiO-PO4化合物和多磷酸鉀的重量比為1∶19～2∶3之間，生長條件是先升溫至950°～1100℃，然后降溫至920°～800℃，并使熔體產生相對運動，保持0.5°～5℃/cm的溫度梯度，生長周期為10～60天，能長出最大為13×20×15mm3的KTP單晶。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 磷酸 氧鈦鉀單晶 生長 方法 有關 裝置 | ||
【主權項】：
1.一種KTP單晶的熔鹽生長方法，以磷酸氧鈦鉀化合物為原料，多磷酸鉀鹽為熔劑，兩者按1∶19～2∶3的比例混勻，裝入敞口的鉑金坩堝，在950°～1100℃下熔融并均化，然后以10°～30℃/小時的速度降至結晶溫度，恒溫5～50小時，使坩堝旋轉并將冷卻桿與坩堝底部中心接觸，將預置于熔體液面上方的籽晶插到熔體底部，同時向冷卻桿通入冷卻介質進行晶體生長，在生長的整個過程中，熔體以0.5°～5℃/天的速度降溫，并保持0.5～5℃/cm的溫度梯度，其特征在于使用壓縮氮氣作為冷卻介質，冷卻桿與堝底接觸面的直徑不大于2mm，籽晶桿是用包鉑箔的帶孔氧化鋁陶瓷桿。
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