[其他]磷酸氧鈦鉀單晶的熔鹽生長方法和有關裝置

無效

• 申請號: 85100836
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100836B
• 公開（公告）日: 1988-07-20
• 發明（設計）人: 沈德忠;黃朝恩
• 申請（專利權）人: 國家建筑材料工業局人工晶體研究所
• 主分類號: C30B29/14
• 分類號: C30B29/14;C30B9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種KTP單晶的熔鹽生長方法，以磷酸氧鈦鉀化合物為原料，多磷酸鉀鹽為熔劑，兩者按1∶19～2∶3的比例混勻，裝入敞口的鉑金坩堝，在950°～1100℃下熔融并均化，然后以10°～30℃/小時的速度降至結晶溫度，恒溫5～50小時，使坩堝旋轉并將冷卻桿與坩堝底部中心接觸，將預置于熔體液面上方的籽晶插到熔體底部，同時向冷卻桿通入冷卻介質進行晶體生長，在生長的整個過程中，熔體以0.5°～5℃/天的速度降溫，并保持0.5～5℃/cm的溫度梯度，其特征在于使用壓縮氮氣作為冷卻介質，冷卻桿與堝底接觸面的直徑不大于2mm，籽晶桿是用包鉑箔的帶孔氧化鋁陶瓷桿。

2、按照權利要求1、所規定的方法，其特征在于所說的坩堝旋轉是周期性地做順、逆時針方向旋轉/旋轉速度在3～30轉/分，順逆交替周期為5～15分鐘。

3、按照權利要求1所規定的方法，其特征在于所說的籽晶旋轉速度為5～15轉/分，所說的坩堝旋轉和籽晶旋轉可分別單獨進行，最佳的是兩種旋轉同時進行且方向相反。

4、一種KTP單晶的熔鹽生長方法，以磷酸氧鈦鉀化合物為原料，多磷酸鉀鹽為熔劑，兩者按1∶19～2∶3的比例混勻，裝入敞口鉑金坩堝，在950°～1100℃下熔融并均化，然后以10°～30℃/小時的速度降溫至結晶溫度，恒溫5～50小時，使坩堝旋轉并將預置于熔體液面上方的籽晶插入熔體液面，進行晶體生長，在整個生長過程中，熔體以0.5°～5℃/天的速度降溫，并保持0.5～5℃/cm的溫度梯度，其特征在于使用包鉑箔的帶孔氧化鋁陶瓷桿作籽晶桿。

5、按照權利要求4所規定的方法，其特征在于所說的坩堝旋轉是周期性地做順、逆時針方向旋轉，旋轉速度在3～30轉/分，順逆交替周期為5～15分鐘。

6、按照權利要求4所規定的方法，其特征在于所說的籽晶旋轉速度為5～15轉/分，所說的坩堝旋轉和籽晶旋轉可分別單獨進行，最佳的是兩種旋轉同時進行且方向相反。