[其他]濕化學共沉淀氧化鋯(Mg-PSZ)的封接工藝在審
| 申請號： | 101987000000243 | 申請日： | 1987-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100243B | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 溫廷璉;施鑫陶;李曉飛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 聶淑儀;潘振蘇 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 濕化學共沉淀制備的氧化鋯（Ｍｇ－ＰＳＺ）的封接工藝，介紹了一種用固體電觸質陶瓷（Ｍｇ－ＰＳＺ）與玻璃、陶瓷及合金的封接，可分別采用煤氣一氧氣混合焰的普通燈工吹制及過火技術：中溫封接及中、低溫范圍不同降溫速率的封接。本發明工藝簡單，封接件可達真空氣密或氦檢氣密的要求。特別是由于Ｍｇ－ＰＳＺ可與合金進行封接，拓寬了Ｍｇ－ＰＳＺ作為氧敏器件的技術應用范圍。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 化學 共沉淀 氧化鋯 mg psz 工藝 | ||
【主權項】：
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