[其他]濕化學共沉淀氧化鋯(Mg-PSZ)的封接工藝在審
| 申請號： | 101987000000243 | 申請日： | 1987-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100243B | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 溫廷璉;施鑫陶;李曉飛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 聶淑儀;潘振蘇 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 共沉淀 氧化鋯 mg psz 工藝 | ||
【權利要求書】：
1、一種用濕化學法共沉淀制備的氧化鋯（Mg-PSZ）的封接工藝，其特征在于：
A、選用封接材料
a.Mg-PSZ作主要封接材料;
b.95-氧化鋯陶瓷、DM-308玻璃，4529鐵線鈷合金作可以封接的材料;
B.封接方式
直接封接，
加封接劑DM-308玻璃的封接;
C.工藝條件
a.中溫 950～1050℃ 保溫半小時
b.普通燈二吹制及退火。
2、根據權利要求1所述的封接工藝，其特征在于：
與DM-308玻璃的直接封接的燈工吹制條件包括：
A.用煤氣-氧氣混合焰吹制;
B.吹制后在500℃下退火，降溫速度為＜40℃/每小時。
3、根據權利要求1所述的封接工藝，其特征在于：
與95氧化鋁陶瓷的封接條件是：
A.用封接劑的中溫封接;
B.中溫直接封接：
a.固定升溫速率為：200～250℃/小時;
b.降溫速率在1030～500℃之間是300℃/小時;
在500℃～室溫之間是40℃/小時。
4、根據權利要求1所述的封接工藝，其特征在于：
所述的與合金的封接條件是：
A.采用DM-308玻璃作封接劑;
B.中溫封接。
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