[其他]濕化學共沉淀氧化鋯(Mg-PSZ)的封接工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101987000000243
• 申請日: 1987-03-24
• 公開（公告）號: CN87100243B
• 公開（公告）日: 1988-08-10
• 發(fā)明（設計）人: 溫廷璉;施鑫陶;李曉飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 代理公司: 中國科學院上海專利事務所
• 代理人: 聶淑儀;潘振蘇

濕化學共沉淀制備的氧化鋯（Ｍｇ－ＰＳＺ）的封接工藝，介紹了一種用固體電觸質(zhì)陶瓷（Ｍｇ－ＰＳＺ）與玻璃、陶瓷及合金的封接，可分別采用煤氣一氧氣混合焰的普通燈工吹制及過火技術：中溫封接及中、低溫范圍不同降溫速率的封接。本發(fā)明工藝簡單，封接件可達真空氣密或氦檢氣密的要求。特別是由于Ｍｇ－ＰＳＺ可與合金進行封接，拓寬了Ｍｇ－ＰＳＺ作為氧敏器件的技術應用范圍。

本發(fā)明所涉及的是玻璃與玻璃或其它材料（如陶瓷、合金）的接合。

現(xiàn)有的氧化鋯的封接工藝（Brit.UK.Pat.2021，555）是采用鋁、銻或鋯粉與多種成分的玻璃粉作封接劑，需在1430℃的高溫下，才能完成與ZrO₂固體電解質(zhì)與玻璃的封接;也無與玻璃直接封接的工藝。不能適用于多種材料。因此其封接工藝適用面窄。

本發(fā)明的目的在于提供一種由溫化學共沉淀法獲得的用氧化鎂部分穩(wěn)定的氧化鋯（Mg-PSZ）固體電解質(zhì)用于與玻璃、陶瓷及合金的封接的幾種工藝技術。

本發(fā)明的要點是：提供了用濕化學共沉淀獲得的Mg-PSZ作為主要封接材料，可用多種方式及對多種材料進行封接。

1.與玻璃管的直接封接，采用煤氣-氧氣混合煙的普通燈工吹制工藝及退火技術。

2.與95氧化鋁陶瓷管的封接，采用兩種工藝條件：

其一是：采用不同降溫速率的中溫封接。即：固定升溫速率（在200～250℃/小時范圍），其降溫速率分別是1030℃～500℃之間，為300℃/小時。

在500℃-室溫之間，為40℃/小時。

其二是：用玻璃封接劑的中溫封接工藝，其條件是：

封接劑是DM-308玻璃;

封接溫度950～1050℃保溫半小時。

3.可與低膨脹系數(shù)合金（4J29鐵線鈷合金、4J36合金、可伐合金）進行封接，采用DM-308玻璃作封接劑;先將DM-308玻璃管與合金法蘭封接，再用上述封接方法與Mg-PSZ進行中溫封接。

本發(fā)明的優(yōu)點是：封接工藝簡單;封接件可達真空氣密或氦檢氣密的要求;可使Mg-PSZ與低膨脹系數(shù)合金（如4J29鐵線鈷等）封接，拓寬了Mg-PSZ作為氧敏器件的技術應用范圍。（見列表）

已報導的封接工藝與本發(fā)明的比較：