[其他]沉積垂直方向電阻的方法在審
| 申請號： | 101986000007982 | 申請日： | 1986-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN1005880B | 公開（公告）日： | 1989-11-22 |
| 發明（設計）人： | 利澳波多·D·邱;陳士歐;林義雄 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 吳增勇;肖春京 |
| 地址： | 美國.加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 經過改良的、用于ＭＯＳ集成電路的電阻。在一層隔離兩個導電區域的絕緣層里開一個孔。通過等離子增強的化學氣相沉積法，如同富硅氮化物的鈍化材料便被沉積在該窗口之中，該沉積物與兩個導電區都接觸、從而在這兩區之間形成垂直方向的電阻。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 沉積 垂直 方向 電阻 方法 | ||
【主權項】：
暫無信息
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英特爾公司，未經英特爾公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/101986000007982/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：多功能組裝定位夾具
- 下一篇：用于圖形處理器的字塊移位裝置
- 同類專利
- 專利分類
