[其他]沉積垂直方向電阻的方法

在審

• 申請號: 101986000007982
• 申請日: 1986-11-28
• 公開（公告）號: CN1005880B
• 公開（公告）日: 1989-11-22
• 發明（設計）人: 利澳波多·D·邱;陳士歐;林義雄
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳增勇;肖春京

1、半導體器件中制造兩個導電區之間的電阻的方法，其特征在于包括在所述導電區之間形成一層由富硅氮化硅組成的半絕緣薄膜，該薄膜與所述兩個導電區均接觸并在所述導電區之間形成電阻。

2、根據權利要求1所述方法，其特征在于：所述半絕緣薄膜是采用等離子體增強型化學汽相淀積法淀積而成的。

3、在集成電路中被一層絕緣層隔開的兩個導電區之間制造電阻的方法，該方法的特征在于包括以下步驟：

在襯底上形成第一導電區;

在所述第一導電區上形成一氧化層;

在所述氧化層上形成一絕緣層;

在所述氧化層和所述絕緣層內開一窗口;

利用等離子體增強型化學汽相淀積技術，使具有硅烷，氮和氨的混合物的富硅氮化硅在所述窗口內形成半絕緣薄膜，所述薄膜與所述第一導電區相接觸;

在所述薄膜上形成第二導電區;

于是一個電阻元件便出現在所述兩導電區之間。

4、根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述第二導電層是由在所述富硅氮化硅薄膜上的一層鈦和在該鈦層上的一層鋁-硅層組成。

5、制造集成電路電阻的方法，其特征在于包括以下步驟：

在襯底上生長一層柵氧化層;

除去一部分所述柵氧化層;以使該部分的襯底暴露;

在所述柵氧化層上和所述暴露部分的襯底上形成多晶硅層;

通過磷擴散對所述多晶硅層進行摻雜，于是在所述暴露部分的襯底中形成一個埋置接觸區;

在所述多晶硅層上形成一層鎢-硅層;

在所述鎢硅層上生長一層氧化層;

在所述氧化層上形成一絕緣層;

在所述絕緣層上和所述氧化層上開一窗口，使所述開口延伸到所述鎢-硅層;

用等離子體增強型化學汽相淀積技術在所述窗口中淀積形成富硅氮化硅薄膜，所述富硅氮化硅薄膜接觸所述鎢-硅層;

在所述富硅氮化硅薄膜上形成一包括鈦層和鋁硅層的導電層;于是

一個電阻元件便制作在集成電路的兩個導體之間。

6、根據權利要求3或5的方法，其特征在于所述絕緣層是由選自包括亞磷玻璃（phosphorusglass）和硼-二氧磷基硅酸鹽玻璃的這組材料中的一種材料組成。

7、根據權利要求6的方法，其特征在于所述富硅氮化硅薄膜是在壓力約為0.5～1.5托，溫度約為308～505℃條件下，由硅烷氮和氨的混合物所形成。