[其他]一種等離子陽極化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101986000002538 | 申請日： | 1986-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN86102538B | 公開（公告）日： | 1988-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李瓊 | 申請（專利權(quán)）人： | 華東師范大學(xué) |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 上海德昭知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 湯錦森;俞允超 |
| 地址： | 上海普陀*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種等離子陽極化方法。它能夠以較簡單的設(shè)備，可靠地重復(fù)地大批量地在３００～６００℃溫度條件下，對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行自身氧化。經(jīng)退火處理后，氧化層和界面特性都能達(dá)到高溫?zé)嵫趸剑瑓s克服了高溫?zé)嵫趸逃械臑R射效應(yīng)，雜質(zhì)再分布，鳥嘴效應(yīng)等有害影響。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 等離子 陽極 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
暫無信息
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