[其他]半導(dǎo)體汽化冷卻裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101986000002472 | 申請日： | 1986-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN1003026B | 公開（公告）日： | 1989-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 板鼻搏;簿井義典 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 楊國勝 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 半導(dǎo)體堆由層疊和緊固在一起的ＧＴＯ可控硅，冷卻件和接線導(dǎo)體構(gòu)成。半導(dǎo)體堆配置在冷卻器內(nèi)，并充以氟利昂液。冷凝器配置在冷卻器上面，通過連通管與冷卻器連接構(gòu)成冷卻裝置。每個冷卻件在ＧＴＯ可控硅和接線導(dǎo)體之間配置并有許多小孔，氟利昂液在小孔內(nèi)裱可控硅產(chǎn)生的熱所沸騰變成氟利昂蒸汽趨向接線導(dǎo)體。每個接線導(dǎo)體在它與冷卻器接觸的表面上有許多縱向縫隙。氟利昂蒸汽沿縫隙向上流動以提高致冷劑冷卻循環(huán)效率。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 汽化 冷卻 裝置 | ||
【主權(quán)項】：
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