[其他]半導體汽化冷卻裝置

在審

• 申請號: 101986000002472
• 申請日: 1986-04-09
• 公開（公告）號: CN1003026B
• 公開（公告）日: 1989-01-04
• 發明（設計）人: 板鼻搏;簿井義典
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 楊國勝

1、一種汽化冷卻半導體堆的裝置，包括含大致為平板狀的半導體元件的半導體堆，冷卻件及接線導體，含上述半導體堆及液態致冷劑并在半導體堆的上方限定上致冷劑區域、在半導體堆的下方限定下致冷區域的冷卻容器，以便允許上述半導體元件由于上述液態致冷劑的沸騰而冷卻，其特征在于上述冷卻件具有面向上述接線導體的表面，且設有在其表面上面向接線導體開口的小孔，及上述接線導體在上、下致冷劑區域之間設有致冷劑的通道，上述通道的寬度比上述小孔寬且該通道相對于水平作垂直布置，而該水平則由半導體元件，冷卻件及接線導體的軸向配置所確定。

2、如權利要求1所述的汽化冷卻半導體堆的裝置，其特征在于上述通道的寬度至少大于上述小孔的寬度的六倍。

3、如權利要求1所述的汽化冷卻半導體堆的裝置，其特征在于上述通道構成許多在面向上述冷卻件的上述接線導體的表面上的平行縫隙，上述縫隙設置成與水平至少成45度的角度。

4、如權利要求1所述的冷卻半導體堆的裝置，其特征在于上述通道構成有許多長的平行凹槽，該凹槽設置成與水平至少成45度的角度。

5、如權利要求1所述的冷卻半導體堆的裝置，其特征在于上述冷卻件有許多小的縱向孔及側向孔。

6、一種汽化冷卻半導體堆的裝置，包括含大致為平板狀的半導體元件的半導體堆，冷卻件及接線導體，并配置成相互并排鄰接的關系以確定水平方向，及含有放在液態致冷劑中的上述半導體堆、且在半導體堆的上、下方分別限定上、下致冷劑區域的冷卻容器，上述半導體元件由于上述液態致冷劑的沸騰而冷卻，其特征在于上述冷卻件包含由多個單元冷卻件所組成的層疊體，每個單元冷卻件在其相對側面上設置有許多平行凹槽，在單元冷卻件一側上延伸的凹槽與該單元冷卻件的另一側的凹槽垂直，在相對的側面上的上述凹槽其每個凹槽具有的深度能在交叉的凹槽之間建立聯系，并從而在上述層疊體上形成許多小內孔，該小內孔在水平方向上延伸并在面向接線導體的上述層疊體的側面上開口，及上述接線導體在上、下致冷劑區域之間設有液態致冷劑的通道，并與上述小孔相通，上述通道具有的寬度大于小孔的寬度。

7、如權利要求6所述的汽化冷卻半導體堆的裝置，其特征在于上述通道在寬度上大于上述小孔的寬度的6倍。

8、如權利要求6所述的汽化冷卻半導體堆的裝置，其特征在于上述垂直通道在寬度上大于上述小孔的寬度的6倍。

9、如權利要求6所述的汽化冷卻半導體堆的裝置，其特征在于上述通道構成許多長平行凹槽，該凹槽設置成與水平至少成45度的角度。