[發明專利]半導體激光裝置

無效

• 申請號: 99105847.X
• 申請日: 1999-04-21
• 公開（公告）號: CN1234639A
• 公開（公告）日: 1999-11-10
• 發明（設計）人: 河內泰之;中西秀行;油利正昭;吉川昭男;石黑永孝
• 申請（專利權）人: 松下電子工業株式會社
• 主分類號: H01S3/18
• 分類號: H01S3/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

本發明涉及裝有半導體激光器片的半導體激光裝置。

半導體激光裝置，通過正向偏置使半導體激光器片動作，得到光輸出，當對該半導體激光器片施加脈沖電壓時，在半導體激光器片的正向流過過剩脈沖電流，由此產生的過剩的光輸出惡化半導體激光器片本身。

首先，用圖8(a)及圖8(b)說明以往的具有脈沖耐壓功能的半導體激光裝置。

圖8(a)是以往的半導體激光裝置的立體圖。如圖8(a)所示，在陶瓷電容器21上，通過激光座22，形成以砷鋁化鎵為構成要素的半導體激光器片23。陶瓷電容器21通過導線24與半導體激光器片23并聯。

圖8(b)是以往的半導體激光裝置的電路圖。如圖8(b)所示，半導體激光器片23與陶瓷電容器21相互并聯。當對該半導體激光裝置施加脈沖電壓時，由于陶瓷電容21吸收是瞬態電流的脈沖電流，可防止過剩電流流入半導體激光器片23。另外，加大陶瓷電容器21的容量，如果與半導體激光器片23的阻抗相比，充分減小陶瓷電容器21的阻抗，吸收脈沖電流的效果更為顯著。

在以往的半導體激光裝置中，當想要得到足夠的脈沖電流吸收效果時，由于需要將陶瓷電容器21的阻抗減小到比半導體激光器片23還小，陶瓷電容器21的容量需要設定比半導體激光器片23的結電容大。

但是，當陶瓷電容器21的容量比半導體激光器片23的結電容還大時，或驅動半導體激光器片23的激光驅動電路的基準電壓是波動的，或對半導體激光器片23疊加高頻電壓，或是在對半導體激光器片23施加脈沖電壓時，由于泄放了與半導體激光器片23并聯的陶瓷電容器21的高頻成分，存在半導體激光器片23的響應特性變壞的問題。

鑒于上述的情況，本發明的目的在于提供一種具有脈沖耐壓功能，同時對于高頻電壓的疊加及脈沖調制的響應性都靈敏的半導體激光裝置。

為達到上述目的，本發明的第1半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片以及場效應晶體管，陽極連接場效應晶體管的漏極，場效應晶體管的柵極連接場效應晶體管的漏極，陰極連接場效應晶體管的源極。

按照第1半導體裝置，當對半導體激光器片施加超過場效應晶體管的閾值的電壓時，由于在場效應晶體管上流過脈沖電流，能夠吸收脈沖電流。并且，由于僅在向半導體激光器片施加超過場效應晶體管的閾值電壓時，場效應晶體管工作，在向半導體激光器片疊加高頻或是脈沖調制時，無損于半導體激光器片的響應特性。

本發明的第2半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片以及雙極晶體管，陽極連接所述雙極晶體管的集電極，陰極連接雙極晶體管的發射極。

按照第2半導體激光裝置，在對半導體激光器片施加超過雙極晶體管的集電極——發射極間的擊穿電壓時，由于在雙極晶體管上流過脈沖電流，能夠吸收脈沖電流。并且，由于僅在對半導體激光器片施加超過雙極晶體管的集電極——發射極間的擊穿電壓時，雙極晶體管工作，在向半導體激光器片疊加高頻或者脈沖調制時，無損于半導體激光器片的響應特性。

本發明的第3半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片、場效應晶體管和雙極晶體管，陽極連接雙極晶體管的集電極，陰極連接雙極晶體管的發射極，場效應晶體管的漏極連接雙極晶體管的集電極，場效應晶體管的源極連接雙極晶體管的基極，場效應晶體管的柵極連接場效應晶體管的漏極。

按照第3半導體激光裝置，僅在對半導體激光器片施加超過場效應晶體管的閾值電壓時，場效應晶體管工作，在雙極晶體管上注入基極電流，由于在雙極晶體管上流過脈沖電流，能夠吸收脈沖電流。并且，由于僅在對半導體激光器片施加超過場效應晶體管的閾值電壓時，場效應晶體管工作，在向半導體激光器片疊加高頻或是脈沖調制時，無損于半導體激光器片的響應特性。

本發明的第4半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片以及具有串聯的二極管和電容器的脈沖吸收電路，陽極連接脈沖電路的一端部，陰極連接脈沖電路的另一端部，二極管與半導體激光器片同極性相連接。

按照第4半導體激光裝置，包括具有串聯的二極管和電容器的脈沖吸收電路，在半導體激光裝置正常工作時，由于二極管的偏置電壓低，二極管的阻抗比半導體激光器片的阻抗大。因此，由于能夠防止引起高頻疊加等時的激光調制成分向脈沖吸收電路的泄入，能夠防止半導體激光器片的響應特性的變壞。

本發明的第5半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片、具有正極和負極的第1二極管及具有正極和負極的第2二極管，第1二極管的正極連接第2二極的正極，半導體激光器片的陽極連接第1二極管的負極，半導體激光器片的陰極連接第2二極管的負極。