[發明專利]半導體激光裝置

無效

• 申請號: 99105847.X
• 申請日: 1999-04-21
• 公開（公告）號: CN1234639A
• 公開（公告）日: 1999-11-10
• 發明（設計）人: 河內泰之;中西秀行;油利正昭;吉川昭男;石黑永孝
• 申請（專利權）人: 松下電子工業株式會社
• 主分類號: H01S3/18
• 分類號: H01S3/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1．一種半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片以及場效應晶體管，其特征在于，所述陽極連接所述場效應晶體管的漏極，所述場效應晶體管的柵極連接所述場效應晶體管的漏極，所述陰極連接所述場效應晶體管的源極。

2．根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述場效應晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導體激光器片的偏置電壓的絕對值還大。

3．根據權利要求2所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述場效應晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導體激光器片的偏置電壓的絕對值還大0.2V～5.0V。

4．根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述場效應晶體管的漏極-源極間的電阻為5Ω以下。

5．一種半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片以及雙極晶體管，其特征在于，所述陽極連接所述雙極晶體管的集電極，所述陰極連接所述雙極晶體管的發射極。

6．根據權利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述雙極晶體管的集電極-發射極間的擊穿電壓的絕對值比所述半導體激光器片的偏置電壓的絕對值還大。

7．根據權利要求6所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述雙極晶體管的集電極-發射極間的擊穿電壓的絕對值比所述半導體激光器片的偏置電壓的絕對值還大0.2V～5.0V。

8．一種半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片以及場效應晶體管和雙極晶體管，其特征在于，所述陽極連接所述雙極晶體管的集電極，所述陰極連接所述雙極晶體管的發射極，所述場效應晶體管的漏極連接所述雙極晶體管的集電極，所述場效應晶體管的源極連接所述雙極晶體管的基極，所述場效應晶體管的柵極連接所述場效應晶體管的漏極。

9．根據權利要求8所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述場效應晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導體激光器片的偏置電壓的絕對值還大。

10．根據權利要求9所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述場效應晶體管的閾值電壓的絕對值比所述半導體激光器片的偏置電壓的絕對值還大0.2V～5.0V。

11．一種半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片以及具有串聯的二極管和電容器的脈沖吸收電路，其特征在于，所述陽極連接所述脈沖電路的一端部，所述陰極連接所述脈沖電路的另一端部，所述二極管與所述半導體激光器片同極性相連接。

12．根據權利要求11所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述二極管的阻抗比所述半導體激光器片的阻抗還大。

13．一種半導體激光裝置，包括具有陽極和陰極的半導體激光器片，具有正極和負極的第1二極管及具有正極和負極的第2二極管，其特征在于，所述第1二極管的正極連接所述第2二極管的正極，所述半導體激光器片的陽極連接所述第1二極管的負極，所述半導體激光器片的陰極連接所述第2二極管的負極。

14．根據權利要求13所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第1二極管的阻抗比所述半導體激光器片的阻抗大。

15．根據權利要求13所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第1二極管的反向擊穿電壓的絕對值和所述半導體激光器片的偏置電壓的絕對值的差比0V大，并且為5V以下。

16．根據權利要求1、5、8、11或13所述的半導體激光裝置，其特征在于，還包括在所述半導體激光片的陰極連接的電阻。