[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 99105730.9
• 申請日: 1999-04-13
• 公開（公告）號: CN1232300A
• 公開（公告）日: 1999-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 今井清隆
• 申請（專利權(quán)）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉曉峰

1．一個于同一襯底上被提供了一個部分耗盡型SOI?MOSFET和一個全耗盡型SOI?MOSFET的半導(dǎo)體器件，包括：

一個硅襯底；

一層被埋入的氧化膜；

一層在全耗盡型SOI?MOSFET中的膜厚小于在部分耗盡型SOI?MOSFET

中的膜厚的柵氧化膜；

一個在上述全耗盡型SOI?MOSFET中的膜厚小于在上述部分耗盡型SOI

MOSFET中的膜厚的SOI層；

一個溝道區(qū)雜質(zhì)濃度，它在上述全耗盡型SOI?MOSFET中的濃度低于

在上述部分耗盡型SOI?MOSFET中的濃度；

一個源/漏區(qū)；和

一個柵電極。

2．一個于同一襯底上被提供了一個部分耗盡型SOI?MOSFET和一個全耗盡型SOI?MOSFET的半導(dǎo)體器件，包括：

一個硅襯底；

一層被埋入的氧化膜；

一層在全耗盡型SOI?MOSFET中的膜厚和在部分耗盡型SOI?MOSFET中

的膜厚相同的柵氧化膜；

一個在上述全耗盡型SOI?MOSFET中的膜厚小于在上述部分耗盡型SOI

MOSFET中的膜厚的SOI層；

一個溝道區(qū)雜質(zhì)濃度，它在上述全耗盡型SOI?MOSFET中的濃度低于

在上述部分耗盡型SOI?MOSFET中的雜質(zhì)濃度；

一個源/漏區(qū)；和

一個柵電極。

3．一種用于制作如權(quán)利要求1的一個于同一襯底上被提供了一個部分耗盡型SOI?MOSFET和一個全耗盡型SOI?MOSFET的半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟：

在SOI襯底的SOI層中用隔離元件的方法形成一個全耗盡型SOI?MOSFET

結(jié)構(gòu)區(qū)和一個部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)，該襯底包含在一個硅

襯底上順序相連的一個被埋入的氧化膜和一個SOI層；

為控制閾值而以同樣的用量、同樣的雜質(zhì)注入上述全耗盡型SOI?MOSFET

結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)二者的SOI層；

在上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)

構(gòu)區(qū)二者的SOI層上形成第一柵氧化膜；

去除上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)的SOI層上的上述第一柵氧化

膜；和

在上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)形成比上述部分耗盡型SOI?MOSFET

結(jié)構(gòu)區(qū)的柵氧化膜薄的一層?xùn)叛趸ぁ?/p>

4．一種用于制作如權(quán)利要求2的一個于同一襯底上被提供了一個部分耗盡型SOI?MOSFET和一個全耗盡型SOI?MOSFET的半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟：

在SOI襯底的SOI層中用隔離元件的方法形成一個全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和一個部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)，該襯底包含在一個硅襯底上順序相連的一個被埋入的氧化膜和一個SOI層；

為控制閾值而以同樣的用量、同樣的雜質(zhì)注入上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)二者的SOI層；

在上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)二者的SOI層上形成第一柵氧化膜；

去除上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)的SOI層上的上述第一柵氧化膜；

在上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)形成比上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)的柵氧化膜薄的一層?xùn)叛趸ぃ?/p>

去除上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)二者的SOI層上的柵氧化膜；和

在上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)

構(gòu)區(qū)二者的SOI層上形成一層新的柵氧化膜。

5．一種制作如權(quán)利要求4的一個半導(dǎo)體器件的方法，其中，在上述全耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)二者的SOI層上形成一層新的柵氧化膜的上述步驟中，同樣膜厚的一層?xùn)叛趸け恍纬稍谏鲜鋈谋M型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)和上述部分耗盡型SOI?MOSFET結(jié)構(gòu)區(qū)二者的SOI層上。