[發明專利]具有金屬－絕緣體－金屬電容的半導體器件

無效

• 申請號: 98115145.0
• 申請日: 1998-05-29
• 公開（公告）號: CN1208964A
• 公開（公告）日: 1999-02-24
• 發明（設計）人: 西村武史;巖田直高
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 葉愷東,王岳

1．一種半導體器件，包括：襯底；位于所說襯底上的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，該電容器有下電極、電容器絕緣體和上電極；覆蓋所說MIM電容器的第一介質膜，具有從所說下電極邊緣突起的邊緣；形成于所說第一介質膜和所說襯底上的第二介質膜，所說第二介質膜具有用于暴露部分所說襯底的第一開口；及具有通過所說第一開口與部分所說襯底接觸的電極的晶體管。

2．如權利要求1的半導體器件，還包括設置于所說下電極和所說襯底間的第三介質膜，所說第三介質膜具有基本上與所說第一介質膜的邊緣齊平的邊緣。

3．如權利要求2的半導體器件，還包括位于所說第二介質膜上的互連層，其中所說上電極在所說第三介質膜上有焊接區，所說互連層通過通孔直接與所說焊接區接觸。

4．如權利要求1的半導體器件，還包括第三介質膜，該膜具有與所說電容絕緣膜和覆蓋所說第二介質膜的互連層的上部齊平的上部，其中所說上電極在所說第三介質膜上有焊接區，所說互連層通過通孔直接與所說焊接區接觸。

5．如權利要求1的半導體器件，其中所說第一介質膜由SiNx構成。

6．一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：形成位于襯底上的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，該電容器具有下電極、電容器絕緣膜及上電極；形成覆蓋所說MIM電容器且具有從所說下電極邊緣突起的邊緣的第一介質膜；在所說第一介質膜和所說襯底上形成第二介質膜，所說第二介質膜具有暴露部分所說襯底的第一開口；形成具有通過所說第一開口與部分所說襯底接觸的電極的晶體管。

7．如權利要求6的方法，還包括形成置于所說下電極和所說襯底間的第三介質膜的步驟，所說第三介質膜具有從所說下電極的邊緣突起的邊緣。

8．如權利要求6的方法，還包括在所說第一介質膜形成步驟和所說第二介質膜形成步驟之間的表面處理步驟。

9．如權利要求6的方法，還包括一步選擇性腐蝕所說第一和第二介質膜，形成暴露所說上電極的第一通孔和暴露下電極的第二通孔的步驟。

10．如權利要求6的方法，還包括以下步驟：選擇性腐蝕所說第一和第二介質膜以形成暴露所說上電極的第一通孔；選擇性腐蝕所說第一和第二介質膜以形成暴露所說下電極的第二通孔。

11．如權利要求10的方法，其中所說第一通孔形成步驟使用了在正常腐蝕時間30％內的過腐蝕。

12．如權利要求10的方法，其中所說第一介質膜由SiN_x構成，所說第二介質膜由SiO₂構成。

13．如權利要求13的方法，其中所說選擇性腐蝕所說第二介質膜使用了還原氣體，所說選擇性腐蝕所說第一介質膜使用了氧化氣體。