[發明專利]存儲單元及備有該存儲單元的非易失性半導體存儲器

無效

• 申請號: 98107926.1
• 申請日: 1998-05-06
• 公開（公告）號: CN1211077A
• 公開（公告）日: 1999-03-17
• 發明（設計）人: 大中道崇浩;味香夏夫
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1．一種在半導體襯底上形成的非易失性半導體存儲器，其特征在于：

備有：

沿多個行和多個列配置的多個存儲單元；

分別對應于上述多個行設置的多條字線；

分別對應于上述多個列設置的多條位線；以及

供給第一電位的源線，

上述多個存儲單元各包括：

存儲單元晶體管；以及

MOS晶體管，

上述各存儲單元晶體管包括：

由對應的上述字線控制電位的控制柵；

由上述控制柵電位進行控制、互相呈導通/非導通狀態的源及漏；以及

浮柵，

上述各MOS晶體管通過對應的上述存儲單元晶體管，有選擇地對流過上述位線和上述第一電位之間的電流的導通路徑進行通斷，

屬于同一行的上述多個MOS晶體管共同具有柵層，還分別對應于上述同一行備有多條金屬布線，

上述多條金屬布線的各條將具有多個連接孔的絕緣膜夾在中間而布置在對應的上述柵層的上方，

上述各金屬布線通過各自對應的上述連接孔與對應的上述柵層連接，

還備有響應外部地址信號、將電位有選擇地供給上述各金屬布線的開關選擇裝置。

2．根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲器，其特征在于還備有：

響應外部地址信號、選擇上述字線的行選擇裝置；

響應外部地址信號、選擇上述位線的列選擇裝置；以及

將電子注入上述存儲單元晶體管的上述浮柵、或將電子拉出的寫入擦除裝置。

3．一種在半導體襯底上形成的非易失性半導體存儲器，其特征在于：

備有：

沿多個行和多個列配置的多個存儲單元；

分別對應于上述多個行設置的多條字線；

分別對應于上述多個列設置的多條位線；以及

供給第一電位的源線，

上述多個存儲單元各被分割成包括沿多個行和多個列配置的多個存儲單元的多個區段，

上述多條位線包括：

在上述多個區段中與上述多個存儲單元的列對應設置的多條主位線；

以及分別與上述多個區段對應設置的多條副位線組，

上述各副位線組有與對應的區段內的多個列對應的多條副位線，

上述多個存儲單元各包括：

存儲單元晶體管；以及

開關裝置，

上述各存儲單元晶體管包括：

由對應的上述字線的電位控制的控制柵；

由上述控制柵電位進行控制、互相呈導通/非導通狀態的源及漏；以及

浮柵，

上述各開關裝置有選擇地對通過對應的上述存儲單元晶體管流過上述位線和上述第一電位之間的電流的導通路徑進行通斷，

還包括：

響應外部地址信號，選擇上述字線的行選擇裝置；

響應外部地址信號，選擇上述位線的列選擇裝置；

響應外部地址信號，控制上述多個開關裝置的開關選擇裝置；

將電子注入上述存儲單元晶體管的上述浮柵、或將電子拉出的寫入擦除裝置；以及

有選擇地將上述多個副位線組與上述多條主位線連接的連接裝置。

4．根據權利要求3所述的非易失性半導體存儲器，其特征在于：

還備有讀出所選擇的上述存儲單元晶體管的數據的讀出裝置，

上述行選擇裝置在從上述存儲單元晶體管讀出數據的工作中，將第二電壓供給對應的上述字線，在備用(standby)時將第三電壓供給上述多條字線，

上述第二電壓和上述第三電壓相同。

5．根據權利要求3所述的非易失性半導體存儲器，其特征在于：

上述各開關裝置是MOS晶體管，

屬于同一行的上述多個MOS晶體管共同具有柵層，

還分別對應于上述同一行備有多條金屬布線，

上述多條金屬布線的各條將具有多個連接孔的絕緣膜夾在中間而布置在對應的上述柵層的上方，

上述各金屬布線通過各自對應的上述連接孔與對應的上述柵層連接，

上述開關選擇裝置響應外部地址信號、將電位有選擇地供給上述各金屬布線。