[發(fā)明專利]半導體器件及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 98103248.6
• 申請日: 1998-07-17
• 公開（公告）號: CN1207580A
• 公開（公告）日: 1999-02-10
• 發(fā)明（設計）人: 森永志郎
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/31
• 代理公司: 中科專利代理有限責任公司
• 代理人: 張祥齡

1、一種半導體器件，其特在于包括：

一第一線層成形在半導體基片上；

一第一絕緣層至少復蓋在所說的第一線層上；

多條絕緣支成形在所說的第一絕緣層上，以便在所說的絕緣支之間造成空間；

一第二絕緣層形成在所說的絕緣支的上端；

一第二線層形成在所說的第二絕緣層上。

2、如權利要求1所說的器件，其特征在于還包括：在所說的絕緣支的上端有生長核。

3、如權利要求1所說的器件，其特征在于還包括：在所說的絕緣支的下端有生長核。

4、一種制作半導體器件的方法，其特征在于，包括下列步驟：

一在復蓋半導體器件的第一絕緣層上形成核；

一在所說的生長核上形成絕緣支；和

一在所說的絕緣支上端處形成第二絕緣層。

5、如權利要求4所說的方法，其特征在于，其中所說的核是由金屬制成。

6、如權利要求4所說的方法，其特征在于，其中所說的核是由有機化合物制成。

7、如權利要求4所說的方法，其特征在于，其中所說的絕緣支是在所說的生長核和第一絕緣層之間有明顯的區(qū)別的條件下形成的。

8、如權利要求7所說的方法，其特征在于，其中所說的第二絕緣層是各向同性地形成的。

9、一種制作半導體器件的方法，其特征在于，包括下列步驟：

一在半導體基片上制作第一線路；

一制作第一絕緣層以便復蓋所說的第一線路；

一在所述第一絕緣層上形成很多生長核；

一利用所說的核作為催化劑，以生長出很多絕緣支條狀的所說的生長體。

一在所說的絕緣支的頂端部各向同性地形成第二絕緣層。

10、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的第一絕緣層是由等離子體CVD方法形成的氧化硅層。

11、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的第一絕緣層是用硅烷氣氛壓力下的CVD的方法形成的氧化硅層。

12、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的生長核，是由鐵(Fe)、鋅(Zn)、鈦(Ti)和鉑(Pt)中選出的金屬形成的。

13、如權利要求12所說的方法，其特征在于，其中所說的生長核具有1微米或以下的直徑。

14、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的絕緣支在具有所說的生長核處的生長速度比在不具有所說的生長核處要快。

15、如權利要求14所說的方法，其特征在于，其中所說的絕緣支材料生長速度比不具有所說生長核處的要快100倍。

16、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的第一絕緣層上的所說的生長核是用其中分布有生長核的液體涂復在所說的第一絕緣層上形成的。

17、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的第一絕緣層上的所說的生長核是用其中分布有生長核的液體噴灑在所說的第一絕緣層上形成的。

18、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中在所說的第一絕緣層上的所說的生長核是用其中溶解有生長核的液體噴灑在所說的第一絕緣層上形成的。

19、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的第一絕緣層上的所說的生長核是用下列步驟形成的：

在所說的第一絕緣層上形成一具有亞微米尺寸細孔的阻擋層；

在所說的阻擋層上形成一金屬層；

除去所說的阻擋層使所說細孔中的金屬留在所說的第一絕緣層上而成為所說的生長核。

20、如權利要求9所說的方法，其特征在于，其中所說的絕緣支是用低壓CVD方法制成的。

21、如權利要求20所說的方法，其特征在于，其中所說絕緣支是使用包括硅烷和N₂O在內的氣體。

22、如權利要求21所說的方法，其特征在于，其中所說的絕緣支是在大約700到850℃溫度范圍下形成的。