[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 98103248.6
• 申請日: 1998-07-17
• 公開（公告）號: CN1207580A
• 公開（公告）日: 1999-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 森永志郎
• 申請（專利權(quán)）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/31
• 代理公司: 中科專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 張祥齡

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路用的半導(dǎo)體器件及其制作方法。

圖4是采用常規(guī)層間絕緣層的具有多層線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件線結(jié)構(gòu)部分的視圖。圖4中在半導(dǎo)體基片400上所形成的下線層401是由按預(yù)定形狀蒸發(fā)和光刻而成的。然后，再將層間絕緣層402用沉積，例如CVD方法制出。向其表面則再用腐蝕或CMP方法作成平臺。然后，再在層間絕緣層402上用蒸發(fā)和按預(yù)定形狀制作上線層403的圖形。

圖5是日本特許公開No.5-283542中所述的一種方法。參考圖5，半導(dǎo)體基片500上形成一下線層501。然后，在半導(dǎo)體基片500和下線層501上形成一絕緣層蓋504。再在絕緣層蓋504上加一含混有亞微米鋁顆粒的玻璃覆蓋材料的層間絕緣層502。層間絕緣層502加熱到約400℃，以形成玻璃。此后，在層間絕緣層502中，僅混在玻璃覆蓋材料中的鋁顆粒被腐蝕成孔505。然后，再在層間絕緣層502上形成一第二絕緣層蓋506，以便制作一上線層503。

但是圖4所示的已有技術(shù)的缺點(diǎn)在于很難實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行，因為電路運(yùn)行速度受線路電容值的限制。高速運(yùn)行之所以受到限制是由于層間絕緣層402的材料特有的介電常數(shù)使它的電容值比空氣高所致。

圖5所示的已有技術(shù)的缺點(diǎn)在于在層間絕緣層502中難以形成孔505。這是因為很難選擇性地除去鋁顆粒，為了很好地除去鋁顆粒，必須使鋁顆粒均勻地混入覆蓋材料之中而不被覆蓋材料所互相分離。如果顆粒被覆蓋材料所互相分離，那末覆蓋材料會阻止鋁顆粒的腐蝕，從而不能完成選擇性的腐蝕。

本發(fā)明的目的之一是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，以能降低層間絕緣層的靜電電容。

本發(fā)明半導(dǎo)體器件包括：一形成于半導(dǎo)體基片上的下線層，一至少覆蓋下線層的第一絕緣層，形成在第一絕緣層上的若干絕緣支或條，以便構(gòu)成絕緣層之間的空間，和一形成在所說絕緣支上端上的第二絕緣層。

一種制作半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟：在形成在半導(dǎo)體基片上的第一絕緣層上形成核，從核上生長而形成絕緣支和條，在絕緣支的上端形成第二絕緣層。

本發(fā)明的上述目的和其它目的、優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)將通過下面的描述并結(jié)合下列附圖予以闡明：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖面示圖。

圖2A-2H是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的各制作步驟的剖面示圖。

圖3A-3C是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的各制作步驟的剖面示圖。

圖4是表示第一相關(guān)已有技術(shù)的剖面示圖。

圖5是表示第二相關(guān)已有技術(shù)的剖面示圖。

圖1和圖2表示本發(fā)明的第一實(shí)施例。在圖1中，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)是在一半導(dǎo)體基片100上有一層間絕緣層102被提供在一上線層103和下線層101之間，層間絕緣層102包括絕緣支106A和絕緣層106B。絕緣支106A是從下線層101向上方作條狀伸展，并在上、下線層101和103之間形成孔和空間。在絕緣支106A的上端形成絕緣層106B，從而支撐上線層103。以覆蓋下線層101的薄絕緣層104上形成的生長核為基點(diǎn)，絕緣支106A呈分支狀擴(kuò)展，從而構(gòu)成孔105。據(jù)此，使絕緣支106A的直徑改為1微米，其長度為幾微米至幾十微米。

根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，如圖1所示，孔105是由伸展在上線層103和下線層101之間的絕緣支106A而形成。由于孔105的存在，上線層103和下線層101之間的靜電電容減小了，從而使靜電電容的影響有可能減至最低。

一種根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法可用圖2A-2H加以描述。如圖2A所示，下線層201可在半導(dǎo)體基片上按預(yù)定圖案用，例如多晶硅、鋁、或銅等制作而成。而后，如圖2B所示，用CVD方法在下線層201上復(fù)上一第一絕緣層蓋204，而與是否存在金屬線層無關(guān)，其厚度約為1000A(埃)。第一絕緣層蓋204是用，例如等離子化學(xué)氣相沉積(Plasma?CVD)法或常壓下的光SiH₄化學(xué)氣相沉積方法制作出一氧化硅膜。