[發明專利]相變型光記錄介質的設計方法及相變型光記錄介質

無效

• 申請號: 97192703.0
• 申請日: 1997-02-28
• 公開（公告）號: CN1212781A
• 公開（公告）日: 1999-03-31
• 發明（設計）人: 鈴木淑男;森本勛
• 申請（專利權）人: 旭化成工業株式會社
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

?????????????????????技術領域

本發明涉及利用激光照射導致的記錄層的可逆相變來記錄/擦除和再生信息的相變型光記錄介質，特別涉及能夠高密度地記錄信息、具有優良的反復記錄/擦除特性的相變型光記錄介質。

??????????????????????技術背景

近年來，隨著半導體技術的進步，信息的數據化進展迅速。隨著信息的數字化，即靜止畫面和動畫面等圖像信息的數字化，處理的信息量日益變大，在這樣的情況下，就產生了暫時或半永久性地保持信息的要求。作為記錄這些龐大信息的裝置，光盤等光記錄介質被認為是適合發展的，正在對其進行大量的研究開發。

特別是，利用在晶態和非晶態之間進行可逆相變的材料進行信息的記錄/擦除的，即所謂相變型光記錄介質，具有如下優異的特征，即用簡單的光學系統一體地進行記錄/擦除，若擦除已經記錄的信息，就同時記錄新的信息，即覆蓋容易進行。因此，非常期望把它作為圖像記錄介質。

作為相變型記錄介質的記錄材料，主要使用Ge-Te-Sb類合金(參照特開昭62-53886號公報及特開昭61-258787號公報)、以及In-Sb-Te合金(參照特開昭62-241145號公報)的硫族化合物或In-Ge-Sn-O等氧化物類材料。在覆蓋時，被照射了具有記錄強度的激光的記錄層部分通過加熱到熔點以上急冷成為非晶態形成為記錄標記，同時，被照射了具有擦除強度的激光的記錄層部分通過加熱到結晶化溫度以上結晶擦除該記錄標記。

在使用這些記錄材料進行實際記錄/擦除信息時，為防止記錄/擦除時的熱引起的基板變形并防止記錄層氧化和變形，通常在記錄層的正下和正上設有保護層。然而，為了利用光的干涉效應引起的記錄層的光學變化作為大的反射率變化，大多使用通過保護層在記錄層上設置反射層的結構作為優選的層結構。

作為保護層材料，已知有金屬或亞金屬的氧化物，碳化物、氮化物、氟化物和硫化物等，知道其中ZnS與記錄層的結合力強。然而，僅僅由ZnS構成的保護層利用覆蓋反復記錄/擦除時，ZnS的晶粒粗大，因此，耐熱性不夠。在特開昭63-103453號公報中公開了這樣的光盤，通過在ZnS中添加SiO₂等玻璃形成材料提高保護層的耐熱性，使因記錄層的熱變形等產生的反復劣化得到改善。并且，這些現有的保護層材料是對通常記錄、擦除和再生中使用的光透明的材料。

另一方面，作為提高記錄密度的方法，有如下方法，在與記錄信號對應的記錄標記的中心位置記錄現有標記位置的情況下，通過減小記錄標志的大小使記錄標記間的距離變近，提高記錄道方向的密度(線密度)和記錄道垂直方向的密度(道密度)。

還有，即使記錄標記的大小相同，在與記錄信號對應的記錄標記的前端和后端的位置標記錄記邊緣也能比標記位置記錄將道方向的記錄密度提高1.5倍左右。因此，通過進行標記邊緣記錄來代替標記位置記錄，能夠提高記錄密度。

在標記位置記錄的高密度化的情況中，為大幅度地減小記錄標記，需要使記錄用的光源波長變短，與此不同，在標記邊緣記錄中，具有不需要大幅度改變裝置也可進行高密度化的優點。然而，在以標記邊緣方式記錄信息的情況下，需要在規定的位置上，以一定的寬度正確地形成記錄標志。

在這樣的現有相變型記錄介質中，晶態下的激光吸收率比非晶態的激光吸收率還低，晶態時熱傳導率高，產生的熱擴散多，因此，即使照射相同強度的激光，與晶態部分相比，非晶態部分被加熱到更高的溫度。即，即使照射相同強度的光，也產生因前一狀態是晶態還是非晶態而使溫度的上升不同的現象。這樣，如果溫度上升不同，就存在所形成的標志寬度不均勻，其形成位置從標準位置偏移的問題。

作為解決這些問題的方法，例如在特開平1-149238號公報中公開了使記錄層的晶態中的光吸收率(下記為“Ac”)與非晶態的光吸收率(下記為“Aa”)相同或比其高的方法。該方法，提及了適當地選擇構成相變型光記錄介質的各層膜厚。具體地，舉出了通過把金屬反射膜的厚度減少到薄于一般情況，和改變在記錄層正上和正下的保護層厚度而使晶態和非晶態的光吸收率之比提高到1.1左右的例子。

即，在該方法中，通過使反射層的膜厚變薄而使透過它的透射光增加以減小Aa，但如果這樣地使反射層的透射率提高時，則會在從作為相變型光記錄介質內表面的反射層來的返回光再生時產生噪聲，因反射層薄產生的記錄層的冷卻性能降低，還存在著記錄、擦除及再生的各種性能劣化的問題。