[發明專利]相變型光記錄介質的設計方法及相變型光記錄介質

無效

• 申請號: 97192703.0
• 申請日: 1997-02-28
• 公開（公告）號: CN1212781A
• 公開（公告）日: 1999-03-31
• 發明（設計）人: 鈴木淑男;森本勛
• 申請（專利權）人: 旭化成工業株式會社
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1．一種相變型記錄介質的設計方法，其中相變型記錄介質利用激光照射進行信息的記錄、擦除和再生，并包括由至少包括Ge、Sb、Te的合金構成的、根據照射激光的強度在晶態和非晶態間發生可逆相變的記錄層以及支持該記錄層的基板，其特征在于：

在該記錄層的激光入射側的界面處反射波與入射波的強度比(Rra：記錄層為非晶態時，Rrc：記錄層為晶態時)在上述記錄層為晶態和非晶態時，同時滿足式(1)、式(2)和式(3)：

Rra-Rrc≥-0.2?????????(1)

Rra-0.9×Rrc≤0.05????(2)

Rra+Rrc≥0.18?????????(3)。

2．一種相變型記錄介質，利用激光照射進行信息的記錄、擦除和再生，并包括由至少包括Ge、Sb、Te的合金構成的、根據照射激光的強度在晶態和非晶態間發生可逆相變的記錄層以及支持該記錄層的基板，其特征在于：

在上述記錄層的激光入射側的界面上設置由折射率n和衰減系數k同時滿足式(4)、式(5)、式(6)的材料構成的界面反射控制層：

k≥0.22n+0.14????(4)

k≤0.88n-0.19????(5)

n≤2.8???????????(6)。

3．一種相變型記錄介質，利用激光照射進行信息的記錄、擦除和再生，并包括由至少包括Ge、Sb、Te的合金構成的、根據照射激光的強度在晶態和非晶態間發生可逆相變的記錄層以及支持該記錄層的基板，其特征在于：

在上述記錄層的正下方和正上方設置界面反射控制層，設置在該記錄層的激光入射側的第一界面反射控制層由折射率n_i1和衰減系數k_i1同時滿足式(7)、式(8)和式(9)的材料構成，設在與該記錄層的激光入射側相反一側的第二界面反射控制層由折射率n_i2和衰減系數k_i2同時滿足式(10)、式(11)和式(12)的材料構成：

k_i1≥0.15ni??????????(7)

k_i1≤0.6ni???????????(8)

n_i1≤3.0?????????????(9)

k_i2≥0.35????????????(10)

k_i2≤1.06n_i2+0.25????(11)

k_i2≥n_i2-3.8?????????(12)。

4．一種權利要求2或3記載的相變型記錄介質，其特征在于：

界面反射控制層由從金屬、亞金屬或半導體的氧化物、硫化物、氮化物、碳化物及氟化物構成的組中選擇的至少一種的含氧、硫、氮、碳和氟不足的不定比化合物構成。

5．一種權利要求2或3記載的相變型記錄介質，其特征在于：

界面反射控制層由從含硫不足的硫化亞鉛的不定比化合物、含氮不足的氮化鉛的不定比化合物或含碳不足的碳化硅的不定比化合物構成。

6．一種權利要求2～5之一記載的相變型記錄介質，其特征在于：在與記錄層的激光入射側的界面相接的界面反射控制層和基板之間設有由介電體材料構成的保護層。

7．一種權利要求2～6之一記載的相變型記錄介質，其特征在于：

在與記錄層的激光入射側的界面相接的界面反射控制層和基板之間設有熱擴散層，它由從氮化鋁，氮化硼、氮化鈦、氮化鉭、碳、碳化硅、碳化鈦、碳化鉭、碳化鎢、氧化鋁、氧化錳、溴化鋯、MoSi₂、金屬，亞金屬，半導體中選擇的材料構成。