[發(fā)明專利]低摩擦鍍層無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 97180588.1 | 申請日: | 1997-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN1240486A | 公開(公告)日: | 2000-01-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | V·比里多-科薩勒茨 | 申請(專利權)人: | 金科有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C16/30 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 段承恩 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摩擦 鍍層 | ||
1.一種金屬硫化物鍍層組合物,其特征在于所述組合物還含有硅和氟。
2.一種如權利要求1所述的金屬硫化物鍍層組合物,其中所述金屬選自于Mo、W、Ti、Nb、Ta、Zr和Hf中之一種或多種。
3.一種如權利要求1或2所述的金屬硫化物鍍層組合物,還含有選自于C、B、Al、V、Cr、Fe、Co、Ni、Sm、Au、Cu、Zn、Sn、Pb、N、H和O中之一種或多種元素。
4.一種具有式MxSivRySzFw的金屬硫化物鍍層組合物,其中:
M是選自于Mo、Ti、W、Nb、Ta、Zr和Hf中之一種或多種金屬;
Si是硅;
R是選自于C、B、Al、V、Cr、Fe、Co、Ni、Sm、Au、Cu、Zn、Sn、Pb、N、H和O中之一種或多種元素;
S是硫;
F是氟;
X為0.2-1.5;
V為0.02-3;
Y為0-4;
Z為0.2-6;以及
W為0.01-6,并且其中,X、Y、Z、V和W按原子比給出。
5.一種方法,該方法采用真空離子或等離子技術,在一沉積裝置中,將一低摩擦的金屬硫化物鍍層沉積在基材上,其特征在于將硅和氟或它們的前體引入到所述沉積裝置中。
6.一種產(chǎn)品,該產(chǎn)品上鍍覆有如權利要求1-4中之任一項所述的金屬硫化物鍍層組合物的或者該產(chǎn)品由如權利要求5所述方法制成。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





